| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 有机场效应晶体管简介 | 第9-13页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管基本结构 | 第9-10页 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管的基本工作原理 | 第10-11页 |
| 1.2.3 有机场效应晶体管的特性曲线和基本参数 | 第11-13页 |
| 1.3 电极/半导体界面性质对器件性能的影响 | 第13-18页 |
| 1.3.1 常见电极制备方法 | 第13-16页 |
| 1.3.2 改善电荷注入的常见方法 | 第16-18页 |
| 1.4 开尔文探针力显微镜(KPFM)相关理论与应用 | 第18-21页 |
| 1.4.1 KPFM相关理论 | 第18-19页 |
| 1.4.2 KPFM测定有机场效应晶体管中的接触电阻 | 第19-21页 |
| 1.5 电极制备过程中的热辐射损伤问题研究现状 | 第21-23页 |
| 1.6 本文选题依据 | 第23-25页 |
| 第二章 探究真空蒸镀过程中热损伤对红荧烯场效应晶体管性能的影响 | 第25-33页 |
| 2.1 引言 | 第25-26页 |
| 2.2 红荧烯单晶场效应晶体管的制备 | 第26-29页 |
| 2.2.1 红荧烯单晶的提纯和生长 | 第26-27页 |
| 2.2.2 红荧烯单晶场效应晶体管的制备 | 第27-29页 |
| 2.3 探究热损伤对OFETs性能的影响 | 第29-32页 |
| 2.3.1 器件场效应性能 | 第29-31页 |
| 2.3.2 接触电阻 | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 热辐射损伤本质的研究 | 第33-42页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 热辐射对红荧烯场效应器件性能的影响 | 第33-34页 |
| 3.2.1 器件制备 | 第33-34页 |
| 3.2.2 电学性能 | 第34页 |
| 3.3 探究热辐射的本质 | 第34-38页 |
| 3.3.1 红荧烯晶体功函数的变化 | 第35页 |
| 3.3.2 晶格缺陷 | 第35-38页 |
| 3.4 热辐射对n型场效应晶体管性能影响的研究 | 第38-41页 |
| 3.4.1 TIPS-TAP晶体阵列的生长 | 第38-39页 |
| 3.4.2 TIPS-TAP场效应晶体管的制备及性能测试 | 第39-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 探究电极台阶对红荧烯器件性能的影响 | 第42-47页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 柔性内嵌电极器件的制备及性能 | 第42-46页 |
| 4.2.1 柔性内嵌电极的制备 | 第42-43页 |
| 4.2.2 基于内嵌电极的红荧烯单晶器件的性能表征 | 第43-46页 |
| 4.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 在学期间公开发表论文及著作情况 | 第58页 |
