| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 窄禁带半导体的发展与应用 | 第10-11页 |
| 1.2 Bi_2Te_3的微观结构 | 第11-12页 |
| 1.3 Bi_2Te_3的性质 | 第12-17页 |
| 1.3.1 热电效应 | 第12-14页 |
| 1.3.2 热电输运性质 | 第14-16页 |
| 1.3.3 拓扑绝缘体性质 | 第16页 |
| 1.3.4 光伏效应 | 第16-17页 |
| 1.4 Bi_2Te_3材料的制备工艺 | 第17-19页 |
| 1.4.1 Bi_2Te_3晶体制备工艺 | 第18页 |
| 1.4.2 Bi_2Te_3薄膜制备工艺 | 第18-19页 |
| 1.5 Bi_2Te_3的研究进展 | 第19-20页 |
| 1.6 论文研究的主要内容 | 第20-21页 |
| 1.7 论文的结构安排 | 第21-22页 |
| 第二章 In_xBi_(2-x)Te_3薄膜的制备与表征 | 第22-38页 |
| 2.0 引言 | 第22页 |
| 2.1 薄膜制备与退火处理工艺 | 第22-25页 |
| 2.1.1 真空蒸发镀膜工艺简介 | 第22-24页 |
| 2.1.2 薄膜退火工艺简介 | 第24-25页 |
| 2.2 薄膜生长机理 | 第25-27页 |
| 2.2.1 凝结 | 第25页 |
| 2.2.2 成核 | 第25-26页 |
| 2.2.3 薄膜生长 | 第26-27页 |
| 2.3 实验设备与药品试剂 | 第27-32页 |
| 2.3.1 超声波清洗机 | 第27-28页 |
| 2.3.2 箱式真空镀膜机 | 第28-30页 |
| 2.3.3 化学分析天平 | 第30页 |
| 2.3.4 高温退火电阻炉 | 第30-31页 |
| 2.3.5 扫描电子显微镜系统(SEM-EDX) | 第31-32页 |
| 2.3.6 实验主要药品和试剂 | 第32页 |
| 2.4 薄膜制备与退火处理过程 | 第32-35页 |
| 2.4.1 膜料称量与钼舟制作 | 第32-33页 |
| 2.4.2 硅片清洗 | 第33-34页 |
| 2.4.3 真空蒸发镀膜过程 | 第34页 |
| 2.4.4 薄膜退火处理 | 第34-35页 |
| 2.5 薄膜形貌与组分表征及其分析 | 第35-37页 |
| 2.5.1 实验流程 | 第35页 |
| 2.5.2 实验结果与分析 | 第35-37页 |
| 2.6 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 In掺杂对In_xBi_(2-x)Te_3薄膜禁带宽度的影响与分析 | 第38-44页 |
| 3.1 禁带宽度的测试 | 第38-39页 |
| 3.2 实验设备 | 第39-40页 |
| 3.3 实验过程 | 第40页 |
| 3.4 In掺杂比例对In_xBi_(2-x)Te_3薄膜禁带宽度的影响与分析 | 第40-43页 |
| 3.4.1 禁带宽度的测量结果 | 第40-42页 |
| 3.4.2 禁带宽度窄化的机理分析 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 In掺杂对In_xBi_(2-x)Te_3薄膜载流子传输的影响与分析 | 第44-54页 |
| 4.1 前言 | 第44页 |
| 4.2 实验设备 | 第44-45页 |
| 4.2.1 变温霍尔效应测试仪 | 第44页 |
| 4.2.2 四探针测试仪 | 第44-45页 |
| 4.3 实验过程 | 第45-46页 |
| 4.3.1 变温霍尔效应测试仪实验过程 | 第45-46页 |
| 4.3.2 四探针测试仪实验过程 | 第46页 |
| 4.4 实验结果与分析 | 第46-52页 |
| 4.4.1 载流子浓度的变化与分析 | 第46-49页 |
| 4.4.2 迁移率的变化与分析 | 第49-51页 |
| 4.4.3 电导率的变化与分析 | 第51-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第54页 |
| 5.2 存在问题与展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 作者简介 | 第62页 |
