| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第7-21页 |
| 1.1 前言 | 第7页 |
| 1.2 铁电存储器 | 第7-11页 |
| 1.2.1 铁电存储器的分类 | 第7-8页 |
| 1.2.2 铁电随机存取存储器的工作原理 | 第8-10页 |
| 1.2.3 铁电存储器的材料选取 | 第10-11页 |
| 1.3 PZT薄膜的结构与性质 | 第11-14页 |
| 1.3.1 PZT材料的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.3.2 PZT材料的性质 | 第12-14页 |
| 1.4 PZT薄膜研究进展 | 第14-18页 |
| 1.4.1 PZT薄膜掺杂改性研究进展 | 第15-16页 |
| 1.4.2 PZT薄膜电极材料研究进展 | 第16-18页 |
| 1.5 本课题的主要研究内容 | 第18-21页 |
| 第2章 PZT薄膜的制备与性能表征 | 第21-29页 |
| 2.1 薄膜的制备技术 | 第21-22页 |
| 2.2 使用Sol-Gel法制备PZT薄膜 | 第22-24页 |
| 2.2.1 制备PZT薄膜需要的原材料和实验设备 | 第22-23页 |
| 2.2.2 配置PZT前驱体溶液 | 第23页 |
| 2.2.3 制备PZT薄膜 | 第23-24页 |
| 2.3 PZT薄膜性能的表征方法 | 第24-26页 |
| 2.4 不同PZT薄膜的性能比较 | 第26-28页 |
| 2.4.1 XRD结果比较 | 第26-27页 |
| 2.4.2 铁电性能比较 | 第27页 |
| 2.4.3 介电性能比较 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 掺杂对PZT薄膜铁电性能的影响 | 第29-37页 |
| 3.1 制备La掺杂和W掺杂PZT薄膜 | 第30页 |
| 3.1.1 配置PLZT和PZTW前驱体溶液 | 第30页 |
| 3.1.2 制备PLZT和PZTW薄膜 | 第30页 |
| 3.2 La/W掺杂对PZT薄膜结构的影响 | 第30-33页 |
| 3.2.1 X射线衍射分析 | 第30-31页 |
| 3.2.2 SEM分析 | 第31-33页 |
| 3.3 掺杂对PZT薄膜电学性能的影响 | 第33-34页 |
| 3.3.1 介电性能 | 第33页 |
| 3.3.2 铁电性能 | 第33-34页 |
| 3.4 掺杂对PZT薄膜疲劳特性的影响 | 第34-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 LNO底电极对PZT薄膜性能的影响 | 第37-49页 |
| 4.1 制备不同La/Ni比的LaNi_xO_(3+δ)薄膜 | 第38页 |
| 4.2 不同La/Ni比的LaNi_xO_(3+δ)薄膜性质比较 | 第38-41页 |
| 4.2.1 结构性质比较 | 第38-40页 |
| 4.2.2 薄膜电阻率比较 | 第40-41页 |
| 4.3 第一性原理计算方法简介 | 第41-43页 |
| 4.4 使用第一性原理分析不同La/Ni比的LaNi_xO_(3+δ)的性质 | 第43-46页 |
| 4.4.1 计算LNO晶体的态密度 | 第43-44页 |
| 4.4.2 计算不同La/Ni比的LaNi_xO_(3+δ)晶体的结构 | 第44-46页 |
| 4.5 在不同La/Ni比LaNi_xO_(3+δ)底电极上制备的PZT薄膜性能比较 | 第46-48页 |
| 4.6 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 总结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
