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Mn:Fe:KTN晶体的电致应变和光折变效应研究

摘要第3-4页
abstract第4-5页
第1章 绪论第8-18页
    1.1 KTN晶体第8-10页
    1.2 KTN晶体的铁电性能及电致应变效应研究现状第10-15页
        1.2.1 铁电畴第10-12页
        1.2.2 电滞回线第12-14页
        1.2.3 电致应变效应第14-15页
    1.3 KTN晶体的顺电性能及光折变效应研究现状第15-16页
    1.4 课题来源及本文的主要工作第16-18页
第2章 Mn:Fe:KTN晶体中铁电畴运动的光学表征第18-28页
    2.1 实验光路系统第18-19页
    2.2 原位可视化畴转换过程第19-21页
    2.3 畴壁侧向位移测量第21-26页
        2.3.1 测量方法第21-22页
        2.3.2 'l-E'的计算第22-26页
    2.4 电滞回线的测量第26-27页
    2.5 本章小结第27-28页
第3章 Mn:Fe:KTN晶体电滞回线和电致应变测量第28-46页
    3.1 四方相Mn:Fe:KTN晶体的电滞回线第28-40页
        3.1.1 电滞回线随电场强度的变化第28-29页
        3.1.2 电滞回线随环境温度的变化第29-30页
        3.1.3 电滞回线随电场频率的变化第30-34页
        3.1.4 偶极子的受迫振动模型第34-40页
    3.2 四方相Mn:Fe:KTN晶体的电致应变性能分析第40-44页
        3.2.1 电致应变曲线随电场频率的变化第41页
        3.2.2 电致应变曲线随电场强度的变化第41-44页
        3.2.3 电致应变曲线随环境温度的变化第44页
    3.3 本章小结第44-46页
第4章 顺电相Mn:Fe:KTN晶体中的极化纳米区域第46-58页
    4.1 极化纳米区域第46-47页
    4.2 KTN晶体在居里温度附近的介电弛豫及极化纳米区域第47-50页
    4.3 KTN晶体的电光特性及纳米区域第50-57页
        4.3.1 实验及结果第50-53页
        4.3.2 晶体电光特性的理论分析第53-57页
    4.4 本章小结第57-58页
第5章 顺电相Mn:Fe:KTN晶体中光折变光栅制作与暗存储第58-83页
    5.1 光折变效应及空间电荷场第58-60页
    5.2 数字全息显微干涉技术第60-62页
    5.3 实验光路系统第62-63页
    5.4 Bragg光栅写入第63-73页
        5.4.1 光栅写入的时间-空间演化过程第63-67页
        5.4.2 不同实验参数对光栅折射率变化的影响第67-71页
        5.4.3 理论分析不同实验参数对光栅折射率变化的影响第71-73页
    5.5 光栅的暗衰减第73-82页
        5.5.1 场致光栅寿命延长效应第73-76页
        5.5.2 影响光栅暗衰减的因素第76-79页
        5.5.3 场致光栅寿命延长效应的物理机制第79-82页
    5.6 本章小结第82-83页
第6章 总结与展望第83-86页
    6.1 论文的研究成果第83-84页
    6.2 研究工作的展望第84-86页
参考文献第86-91页
发表论文和参加科研情况说明第91-92页
致谢第92页

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