摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第11-20页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 TiN的晶体结构与物化性质 | 第11-12页 |
1.3 TiN材料的应用及研究现状 | 第12-17页 |
1.3.1 TiN材料的应用简述 | 第12-15页 |
1.3.2 TiN材料的研究现状 | 第15-17页 |
1.4 TiN薄膜的制备方法简介 | 第17-19页 |
1.4.1 脉冲激光沉积法 | 第17页 |
1.4.2 电子束蒸发镀膜法 | 第17页 |
1.4.3 金属有机物化学气相沉积法 | 第17-18页 |
1.4.4 溅射镀膜法 | 第18-19页 |
1.5 本课题的选题意义和研究内容 | 第19-20页 |
1.5.1 选题意义 | 第19页 |
1.5.2 研究内容 | 第19-20页 |
第二章 TiN薄膜的溅射制备工艺及分析测试方法 | 第20-30页 |
2.1 TiN薄膜的溅射法制备 | 第20-21页 |
2.2 TiN薄膜的表征手段 | 第21-26页 |
2.2.1 透射电子显微镜(TEM) | 第21-24页 |
2.2.2 X射线衍射仪(XRD) | 第24-25页 |
2.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第25页 |
2.2.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第25-26页 |
2.2.5 四探针 | 第26页 |
2.2.6 纳米压痕仪 | 第26页 |
2.3 TiN薄膜TEM样品制备 | 第26-30页 |
2.3.1 平面样品制备 | 第27-29页 |
2.3.2 截面样品制备 | 第29-30页 |
第三章 衬底偏压对TiN薄膜结构、成分、表面形貌及性能的影响研究 | 第30-38页 |
3.1 衬底偏压对TiN薄膜结构的影响 | 第30-32页 |
3.1.1 薄膜择优取向 | 第30-31页 |
3.1.2 薄膜晶格常数 | 第31-32页 |
3.2 衬底偏压对TiN薄膜化学成分的影响 | 第32-33页 |
3.3 衬底偏压对TiN薄膜表面形貌的影响 | 第33-34页 |
3.4 衬底偏压对TiN薄膜沉积厚度的影响 | 第34-35页 |
3.5 衬底偏压对TiN薄膜电学性能的影响 | 第35-36页 |
3.6 衬底偏压对TiN薄膜力学性能的影响 | 第36-37页 |
3.7 本章小结 | 第37-38页 |
第四章 TiN薄膜的微观形貌、结构及其缺陷的高分辨TEM研究 | 第38-56页 |
4.1 柱状晶形貌随衬底偏压的演变 | 第38-43页 |
4.1.1 截面样形貌分析 | 第38-39页 |
4.1.2 平面样形貌分析 | 第39-42页 |
4.1.3 柱状晶形貌演变研究 | 第42-43页 |
4.2 无衬底偏压薄膜样品的织构和微观结构研究 | 第43-50页 |
4.2.1 薄膜织构的演变 | 第44-47页 |
4.2.2 薄膜微观结构分析 | 第47-50页 |
4.3 不同衬底偏压制备薄膜的缺陷研究 | 第50-55页 |
4.3.1 位错及位错密度 | 第51-53页 |
4.3.2 孪晶 | 第53-55页 |
4.4 本章小结 | 第55-56页 |
第五章 全文总结与展望 | 第56-58页 |
5.1 全文总结 | 第56-57页 |
5.2 展望 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-65页 |
附录 | 第65-66页 |
致谢 | 第66页 |