基金资助 | 第2-4页 |
摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-36页 |
1.1 前言 | 第11-12页 |
1.2 高储能脉冲电容器简介 | 第12-15页 |
1.2.1 高储能脉冲电容器及其应用 | 第12-13页 |
1.2.2 电介质材料及其分类 | 第13-14页 |
1.2.3 高分子介电材料发展历程 | 第14-15页 |
1.3 聚偏氟乙烯及其共聚物 | 第15-21页 |
1.3.1 PVDF的晶体结构 | 第15-18页 |
1.3.2 聚偏氟乙烯-六氟丙烯 | 第18-19页 |
1.3.3 聚偏氟乙烯-三氟乙烯 | 第19-20页 |
1.3.4 聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯 | 第20-21页 |
1.4 P(VDF-HFP)基介电复合薄膜研究进展 | 第21-23页 |
1.4.1 填料种类对P(VDF-HFP)基复合膜介电性能影响 | 第21-23页 |
1.4.2 后处理工艺对P(VDF-HFP)介电性能影响 | 第23页 |
1.5 石墨烯/聚合物复合材料简介 | 第23-33页 |
1.5.1 石墨烯的结构与制备方法 | 第23-27页 |
1.5.2 表面功能化修饰石墨烯研究进展 | 第27-30页 |
1.5.3 石墨烯/聚合物复合材料的应用 | 第30-32页 |
1.5.4 高介电性能石墨烯/聚合物纳米复合材料研究现状 | 第32-33页 |
1.6 本课题研究思路、内容及意义 | 第33-36页 |
1.6.1 课题的研究思路 | 第33-34页 |
1.6.2 研究内容 | 第34-35页 |
1.6.3 研究意义 | 第35-36页 |
第二章 退火和拉伸处理对P(VDF-HFP)薄膜结构和介电性能影响 | 第36-56页 |
2.1 引言 | 第36页 |
2.2 实验部分 | 第36-40页 |
2.2.1 原材料及规格 | 第36-37页 |
2.2.2 实验仪器设备 | 第37页 |
2.2.3 样品制备过程 | 第37-40页 |
2.2.4 测试与表征 | 第40页 |
2.3 结果与讨论 | 第40-55页 |
2.3.1 退火处理对P(VDF-HFP)膜结构和性能的影响 | 第40-47页 |
2.3.2 热拉伸对P(VDF-HFP)膜结构和性能的影响 | 第47-54页 |
2.3.3 P(VDF-HFP)介电常数与晶体结构之间关系讨论 | 第54-55页 |
2.4 本章小结 | 第55-56页 |
第三章 石墨烯/P(VDF-HFP)复合膜的制备及其结构表征 | 第56-72页 |
3.1 引言 | 第56-57页 |
3.2 实验部分 | 第57-62页 |
3.2.1 原材料及规格 | 第57页 |
3.2.2 实验仪器设备 | 第57-58页 |
3.2.3 石墨烯/P(VDF-HFP)复合膜制备过程 | 第58-60页 |
3.2.4 测试与表征 | 第60-62页 |
3.3 结果与讨论 | 第62-71页 |
3.3.1 石墨烯样品的表征 | 第62-64页 |
3.3.2 石墨烯/P(VDF-HFP)复合膜表征 | 第64-71页 |
3.4 本章小结 | 第71-72页 |
第四章 石墨烯/P(VDF-HFP)复合膜取向结构及其介电性能 | 第72-88页 |
4.1 引言 | 第72页 |
4.2 实验部分 | 第72-74页 |
4.2.1 原材料及规格 | 第72-73页 |
4.2.2 实验仪器设备 | 第73页 |
4.2.3 石墨烯/P(VDF-HFP)复合膜拉伸处理 | 第73页 |
4.2.4 测试及表征 | 第73-74页 |
4.3 结果与讨论 | 第74-87页 |
4.3.1 拉伸复合膜的结晶相含量 | 第74-75页 |
4.3.2 拉伸复合膜的结晶度 | 第75-76页 |
4.3.3 拉伸复合膜的表面形貌 | 第76页 |
4.3.4 拉伸复合膜的断面形貌 | 第76-77页 |
4.3.5 拉伸高分子复合材料取向模型的建立 | 第77-82页 |
4.3.6 拉伸复合膜取向角度统计与分析 | 第82-85页 |
4.3.7 拉伸复合膜介电性能 | 第85-86页 |
4.3.8 拉伸复合膜电阻率 | 第86页 |
4.3.9 石墨烯取向与复合介电性能之间的关系与讨论 | 第86-87页 |
4.4 本章小结 | 第87-88页 |
第五章 结论、创新点和展望 | 第88-90页 |
5.1 结论 | 第88页 |
5.2 创新点分析 | 第88-89页 |
5.3 展望 | 第89-90页 |
参考文献 | 第90-100页 |
致谢 | 第100-101页 |
个人简历 | 第101-102页 |
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第102页 |