| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第13-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-26页 |
| 1.1 太赫兹技术的研究背景 | 第18-20页 |
| 1.1.1 太赫兹波及其独特性质 | 第18-19页 |
| 1.1.2 太赫兹技术的应用 | 第19-20页 |
| 1.2 GaN材料简介 | 第20-22页 |
| 1.3 碰撞雪崩渡越时间二极管的研究背景和现状 | 第22-24页 |
| 1.4 本论文的主要工作和内容安排 | 第24-26页 |
| 第二章 IMPATT二极管器件机理及数值仿真方法 | 第26-40页 |
| 2.1 IMPATT二极管的概念和分类 | 第26页 |
| 2.2 IMPATT二极管的静态特性 | 第26-29页 |
| 2.3 IMPATT二极管的动态特性 | 第29-31页 |
| 2.4 功率和效率 | 第31-34页 |
| 2.4.1 大信号工作 | 第31-32页 |
| 2.4.2 功率-频率限制 | 第32-33页 |
| 2.4.3 对效率的限制 | 第33-34页 |
| 2.5 Silvaco-Atlas模拟软件简介 | 第34-38页 |
| 2.5.1 Silvaco-Atlas的数值计算过程 | 第36页 |
| 2.5.2 GaN材料的电子速场关系及碰撞离化模型 | 第36-38页 |
| 2.6 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 GaN基IMPATT二极管直流交流特性研究 | 第40-64页 |
| 3.1 GaN基IMPATT二极管结构设计 | 第40-41页 |
| 3.2 掺杂浓度对静态特性的影响 | 第41-47页 |
| 3.2.1 雪崩区掺杂浓度对GaNIMPATT静态特性的影响 | 第41-43页 |
| 3.2.2 雪崩终止层掺杂浓度对GaNIMPATT静态特性的影响 | 第43-45页 |
| 3.2.3 漂移区掺杂浓度对GaNIMPATT静态特性的影响 | 第45-47页 |
| 3.3 器件尺寸对静态特性的影响 | 第47-54页 |
| 3.3.1 雪崩区长度对GaNIMPATT静态特性的影响 | 第47-49页 |
| 3.3.2 雪崩终止层长度对GaNIMPATT静态特性的影响 | 第49-52页 |
| 3.3.3 漂移区长度对GaNIMPATT静态特性的影响 | 第52-54页 |
| 3.4 GaN基IMPATT动态特性仿真 | 第54-63页 |
| 3.4.1 器件电路混合仿真—MixedMode介绍 | 第54-56页 |
| 3.4.2 GaNIMPATT二极管的交流大信号仿真 | 第56-60页 |
| 3.4.3 空间电荷效应 | 第60-63页 |
| 3.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 GaN基太赫兹IMPATT二极管工艺研究 | 第64-84页 |
| 4.1 GaNIMPATT器件的工艺步骤流程 | 第64-70页 |
| 4.2 欧姆接触 | 第70-75页 |
| 4.2.1 GaN的欧姆接触设计原则 | 第70-71页 |
| 4.2.2 原点型传输线模型测试欧姆接触电阻率 | 第71-72页 |
| 4.2.3 直线传输线模型测试欧姆接触电阻率 | 第72-75页 |
| 4.3 肖特基接触及特性参数的提取 | 第75-80页 |
| 4.4 GaN基肖特基IMPATT二极管制作过程中的问题分析 | 第80-83页 |
| 4.5 本章小结 | 第83-84页 |
| 第五章 总结与展望 | 第84-86页 |
| 5.1 研究总结 | 第84-85页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 致谢 | 第90-92页 |
| 作者简介 | 第92-93页 |
