| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 铁电钙钛矿材料 | 第11-13页 |
| 1.2.1 电滞回线 | 第12-13页 |
| 1.3 压电材料 | 第13-14页 |
| 1.4 铁电材料和压电材料光伏效应 | 第14-17页 |
| 1.4.1 传统光伏 | 第14-16页 |
| 1.4.2 铁电光伏 | 第16页 |
| 1.4.3 压电材料光伏 | 第16-17页 |
| 1.5 光伏效应的增强 | 第17-24页 |
| 1.5.1 掺杂降低材料带隙 | 第17-18页 |
| 1.5.2 量子点修饰构筑异质结 | 第18-20页 |
| 1.5.3 利用铁电性和压电性调控光伏 | 第20-21页 |
| 1.5.4 表面等离激元 | 第21-24页 |
| 1.6 铁电薄膜和压电半导体光伏效应的应用 | 第24-25页 |
| 1.7 本论文研究内容和意义 | 第25-27页 |
| 1.7.1 研究内容 | 第25-26页 |
| 1.7.2 研究意义 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-29页 |
| 第2章 样品的制备、结构及性能表征方法 | 第29-33页 |
| 2.1 样品制备 | 第29-30页 |
| 2.1.1 溶胶-凝胶法简介 | 第29页 |
| 2.1.2 磁控溅射技术 | 第29-30页 |
| 2.1.3 金纳米颗粒的制备 | 第30页 |
| 2.2 样品表征技术及其原理 | 第30-32页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析 | 第30页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第30-31页 |
| 2.2.3 压电力显微镜和原子力显微镜 | 第31页 |
| 2.2.4 紫外可见光吸收和紫外光电子能谱 | 第31-32页 |
| 2.3 光伏性能的表征 | 第32-33页 |
| 第3章 金表面等离激元效应增强La掺杂BiFeO_3薄膜光伏性能 | 第33-51页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 BFO和BLFO薄膜器件的制备 | 第34-36页 |
| 3.2.1 BFO和BLFO薄膜前驱体溶液的配制 | 第34页 |
| 3.2.2 BFO和BLFO薄膜的制备 | 第34-35页 |
| 3.2.3 金表面等离激元的制备 | 第35页 |
| 3.2.4 顶电极的制备 | 第35-36页 |
| 3.3 BFO和BLFO薄膜器件的微观结构及性能表征 | 第36-40页 |
| 3.3.1 BFO和BLFO薄膜的微观结构表征 | 第36-37页 |
| 3.3.2 金纳米颗粒的微观形貌 | 第37页 |
| 3.3.3 BFO和BLFO薄膜的铁电性表征 | 第37-38页 |
| 3.3.4 BFO和BLFO薄膜及BLFO/AuNPs的紫外-可见光吸收测试 | 第38-40页 |
| 3.4 薄膜器件的光电性质 | 第40-42页 |
| 3.4.1 FTO/BFO/ITO和FTO/BLFO/ITO器件光电性能表征 | 第40-41页 |
| 3.4.2 FTO/BLFO/AuNPs/ITO器件光电性能表征 | 第41-42页 |
| 3.5 BLFO薄膜光伏效应增强机理研究 | 第42-46页 |
| 3.5.1 BLFO薄膜UPS能谱 | 第42-43页 |
| 3.5.2 BLFO薄膜的半导体类型的测定 | 第43-44页 |
| 3.5.3 铁电极化对BLFO薄膜光伏调制作用的机理 | 第44-45页 |
| 3.5.4 FTO/BLFO/AuNPs/ITO器件光伏效应机理 | 第45-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 第4章 硫化镉半导体的制备及压电光电子效应 | 第51-57页 |
| 4.1 引言 | 第51-52页 |
| 4.2 CdS纳米线阵列的制备及表征 | 第52-53页 |
| 4.2.1 CdS纳米线的XRD | 第52-53页 |
| 4.2.2 CdS纳米线的SEM | 第53页 |
| 4.3 FTO/CdSNWs/P3HT/Ag器件的电学性质测试 | 第53-54页 |
| 4.4 机理分析 | 第54-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第5章 结论 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第59-60页 |
