| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-11页 |
| 1.2 MOSFET简述 | 第11-15页 |
| 1.2.1 MOSFET的原理 | 第11-12页 |
| 1.2.2 MOSFET的等比例缩小规则 | 第12-13页 |
| 1.2.3 SiO_2栅介质材料的局限性 | 第13-15页 |
| 1.3 高介电常数栅介质材料 | 第15-21页 |
| 1.3.1 等效栅介质层厚度 | 第15-16页 |
| 1.3.2 高介电常数栅介质的标准 | 第16-18页 |
| 1.3.3 高介电常数栅介质的研究进展 | 第18-20页 |
| 1.3.4 HfO_2和ZrO_2作为栅介质的优势 | 第20-21页 |
| 1.4 本论文的研究内容 | 第21-24页 |
| 1.4.1 论文研究技术路线及研究内容 | 第21-23页 |
| 1.4.2 论文研究目的及意义 | 第23-24页 |
| 第二章 试验方法 | 第24-33页 |
| 2.1 试验原料 | 第24-25页 |
| 2.1.1 溅射靶材 | 第24页 |
| 2.1.2 化学试剂 | 第24-25页 |
| 2.2 试验原理及设备 | 第25-28页 |
| 2.2.1 ZrO_2和HfO_2溅射镀膜原理 | 第25-26页 |
| 2.2.2 磁控溅射镀膜装置 | 第26-27页 |
| 2.2.3 其它设备 | 第27-28页 |
| 2.3 试验方案 | 第28-30页 |
| 2.3.1 清洗Si基衬底 | 第28页 |
| 2.3.2 栅介质薄膜的制备 | 第28-29页 |
| 2.3.3 电容器的制备 | 第29-30页 |
| 2.4 栅介质薄膜的测试与表征 | 第30-33页 |
| 2.4.1 X射线衍射分析(XRD) | 第31页 |
| 2.4.2 原子力显微镜(AFM) | 第31页 |
| 2.4.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第31页 |
| 2.4.4 拉曼光谱(Raman) | 第31-32页 |
| 2.4.5 电学特性 | 第32-33页 |
| 第三章 ZrO_2栅介质薄膜的制备及性能研究 | 第33-44页 |
| 3.1 ZrO_2薄膜的XRD分析 | 第33-34页 |
| 3.2 ZrO_2薄膜的AFM分析 | 第34-37页 |
| 3.3 ZrO_2薄膜的FE-SEM分析 | 第37-39页 |
| 3.3.1 ZrO_2薄膜的表面分析 | 第37-38页 |
| 3.3.2 ZrO_2薄膜的截面分析 | 第38-39页 |
| 3.4 ZrO_2薄膜的Raman分析 | 第39-40页 |
| 3.5 ZrO_2薄膜的电学性能 | 第40-42页 |
| 3.5.1 ZrO_2薄膜的J-V性能 | 第40-41页 |
| 3.5.2 ZrO_2薄膜的C-V性能 | 第41-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 HfO_2栅介质薄膜的制备及性能研究 | 第44-54页 |
| 4.1 HfO_2薄膜的XRD分析 | 第44-45页 |
| 4.2 HfO_2薄膜的AFM分析 | 第45-47页 |
| 4.3 HfO_2薄膜的FE-SEM分析 | 第47-50页 |
| 4.3.1 HfO_2薄膜的表面分析 | 第47-48页 |
| 4.3.2 HfO_2薄膜的截面分析 | 第48-50页 |
| 4.4 HfO_2薄膜的电学性能 | 第50-52页 |
| 4.4.1 HfO_2薄膜的J-V特性 | 第50-51页 |
| 4.4.2 HfO_2薄膜的C-V特性 | 第51-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 结论与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 硕士期间发表论文及获奖情况 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
| 基金支持 | 第63-64页 |
| 个人简历 | 第64页 |