| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 SiCN的研究现状 | 第9-15页 |
| 1.2.1 SiCN薄膜的研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2.2 SiCN薄膜的制备方法 | 第10-13页 |
| 1.2.3 退火对SiCN薄膜的影响 | 第13-15页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 SiCN薄膜的制备、退火方案和表征方法 | 第17-27页 |
| 2.1 溅射原理 | 第17-20页 |
| 2.1.1 直流二级溅射 | 第17-18页 |
| 2.1.2 射频溅射 | 第18-19页 |
| 2.1.3 反应溅射 | 第19-20页 |
| 2.2 SiCN薄膜的制备及退火方案 | 第20-24页 |
| 2.2.1 方案设计 | 第20-21页 |
| 2.2.2 实验设备 | 第21-23页 |
| 2.2.3 工艺流程 | 第23-24页 |
| 2.3 SiCN薄膜的表征方法 | 第24-27页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜 | 第24页 |
| 2.3.2 能量色散谱 | 第24页 |
| 2.3.3 X射线衍射 | 第24-25页 |
| 2.3.4 光致发光谱 | 第25页 |
| 2.3.5 X射线光电子能谱分析 | 第25-27页 |
| 第三章 Si3N4功率对SiCN薄膜的影响 | 第27-37页 |
| 3.1 薄膜的成分 | 第27-28页 |
| 3.2 薄膜的形貌 | 第28-30页 |
| 3.3 薄膜的结构 | 第30-34页 |
| 3.3.1 薄膜的晶体结构 | 第30-31页 |
| 3.3.2 薄膜的成键结构 | 第31-34页 |
| 3.4 薄膜的光致发光 | 第34-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 退火气氛对SiCN薄膜的影响 | 第37-51页 |
| 4.1 薄膜的成分 | 第38-40页 |
| 4.2 薄膜的形貌 | 第40-43页 |
| 4.3 薄膜的结构 | 第43-46页 |
| 4.4 薄膜的发光 | 第46-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-51页 |
| 第五章 退火温度、保温时间对SiCN薄膜的影响 | 第51-69页 |
| 5.1 薄膜成分 | 第52-54页 |
| 5.2 薄膜形貌 | 第54-61页 |
| 5.3 薄膜结构 | 第61-66页 |
| 5.3.1 薄膜的晶体结构 | 第61-63页 |
| 5.3.2 薄膜的成键结构 | 第63-66页 |
| 5.4 薄膜的发光 | 第66-67页 |
| 5.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-73页 |
| 6.1 工作总结 | 第69-70页 |
| 6.1.1 Si_3N_4功率对SiCN薄膜的影响 | 第69页 |
| 6.1.2 退火气氛对SiCN薄膜的影响 | 第69-70页 |
| 6.1.3 退火温度、保温时间对SiCN薄膜的影响 | 第70页 |
| 6.2 展望 | 第70-73页 |
| 参考文献 | 第73-81页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |