| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 引论 | 第9-10页 |
| 1.1.1 半导体材料的发展及在光通信方面的应用 | 第9页 |
| 1.1.2 GaInNAs 材料的发展及应用 | 第9-10页 |
| 1.2 主要计算方法和理论 | 第10-14页 |
| 1.2.1 有效质量包络函数近似 | 第10-11页 |
| 1.2.2 打靶法 | 第11-12页 |
| 1.2.3 变分法 | 第12-14页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 Ga_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)/GaAs 量子阱浅掺杂施主结合能 | 第15-20页 |
| 2.1 引言 | 第15页 |
| 2.2 理论模型 | 第15-17页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第17-19页 |
| 2.3.1 N 和 In 浓度对施主杂质结合能的影响 | 第17-18页 |
| 2.3.2 外加电场对施主杂质结合能的影响 | 第18页 |
| 2.3.3 施主杂质的位置对其结合能的影响 | 第18-19页 |
| 2.4 结论 | 第19-20页 |
| 第三章 Ga_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)/GaAs 量子阱中电子-LO 声子的散射率 | 第20-27页 |
| 3.1 引言 | 第20页 |
| 3.2 理论模型 | 第20-22页 |
| 3.2.1 散射率的计算 | 第20-22页 |
| 3.2.2 平均散射率的计算 | 第22页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第22-26页 |
| 3.3.1 N 和 In 浓度对散射率的影响 | 第22-23页 |
| 3.3.2 温度及阱宽对散射率的影响 | 第23-26页 |
| 3.4 结论 | 第26-27页 |
| 第四章 Ga_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)/GaAs 量子阱中电子-电子的散射率 | 第27-33页 |
| 4.1 引言 | 第27页 |
| 4.2 理论计算 | 第27-29页 |
| 4.2.1 散射率的计算 | 第27-28页 |
| 4.2.2 平均散射率的计算 | 第28-29页 |
| 4.2.3 加入筛选因子 | 第29页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第29-32页 |
| 4.3.1 N 和 In 浓度对散射率的影响 | 第29-30页 |
| 4.3.2 温度对散射率的影响 | 第30-31页 |
| 4.3.3 阱宽对散射率的影响 | 第31页 |
| 4.3.4 载流子浓度对散射率的影响 | 第31-32页 |
| 4.3.5 外加电场对散射率的影响 | 第32页 |
| 4.4 结论 | 第32-33页 |
| 第五章 Ga_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)/GaAs 量子级联激光器的研究 | 第33-39页 |
| 5.1 引言 | 第33页 |
| 5.2 理论模型 | 第33-35页 |
| 5.3 计算结果与讨论 | 第35-38页 |
| 5.4 结论 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-43页 |
| 在校期间发表的论文 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44页 |
