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中低能区离子在锥型管中传输机制的理论研究

中文摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 研究背景第9-35页
    1.1 低能高电荷离子在绝缘孔中的导向效应第9-13页
    1.2 低能高电荷态离子(HCI)与锥形管作用第13-24页
        1.2.1 锥形管以及锥形孔的制作工艺第14-15页
        1.2.2 利用锥形管产生低能高电荷态离子微束的装置第15-17页
        1.2.3 8keVAr~(8+)离子与锥形管作用的实验研究第17-19页
        1.2.4 锥形管的形状对离子输运特征的影响第19-22页
        1.2.5 温度对离子输运的影响第22-24页
    1.3 高能带电离子与锥形管相互作用第24-26页
    1.4 中能区带电粒子与锥形管相互作用第26-28页
    1.5 电子与锥形管相互作用第28-29页
    1.6 本工作的意义第29-30页
    参考文献第30-35页
第二章 不同能区粒子在锥形管中输运的理论研究进展第35-56页
    2.1 离子与绝缘体表面作用电荷交换效应第35-37页
    2.2 电荷斑的移动和输运第37-40页
    2.3 低能高电荷态离子与锥形管作用理论计算第40-46页
    2.4 高能离子与锥形管作用模拟计算第46-49页
    2.5 电子与绝缘材料作用模拟计算第49-52页
    2.6 总结第52-53页
    参考文献第53-56页
第三章 理论计算模型第56-74页
    3.1 表面沉积电荷的导向势第56-61页
        3.1.1 离子与表面电荷交换第57-60页
        3.1.2 沉积电荷加速第60页
        3.1.3 沉积电荷的移动第60-61页
    3.2 表面原子散射势第61-63页
    3.3 表面以上离子运动方程构建第63-64页
    3.4 表面以下随机碰撞第64-69页
        3.4.1 弹性散射第64-66页
        3.4.2 非弹性散射第66-67页
        3.4.3 离子在固体内部运动的电荷交换效应第67页
        3.4.4 带电离子与绝缘体材料作用的二次电子发射第67-69页
    3.5 锥形管的定义第69-70页
    3.6 离子入射时间间隔、角度以及聚焦倍数的定义第70页
    3.7 离子入射方向的定义第70-72页
    参考文献第72-74页
第四章 计算结果讨论与分析第74-116页
    4.1 中能区质子在锥形管中输运第74-94页
        4.1.1 锥形管尺寸对质子输运的影响第74-78页
        4.1.2 100keV质子在锥形管中输运的动力学演化过程第78-83页
        4.1.3 中能区质子在锥形管中输运与能量的关系第83-85页
        4.1.4 中能区质子输运与偏转角的关系第85-87页
        4.1.5 锥形管的锥角对聚焦倍数的影响第87-88页
        4.1.6 锥形管的形状对聚焦倍数的影响第88-92页
        4.1.7 入射束流强度对中能区质子输运的影响第92-94页
        4.1.8 小结第94页
    4.2 低能离子在锥形管中输运第94-114页
        4.2.1 低能质子在锥形孔中的输运第94-98页
        4.2.2 低能高电荷离子在锥形管中的输运第98-105页
        4.2.3 锥形管形状对低能高电荷态离子输运的影响第105-108页
        4.2.4 5~27keVAr~(8+)离子穿过锥形管标度律研究第108-113页
        4.2.5 小结第113-114页
    参考文献第114-116页
总结与展望第116-118页
在学期间的研究成果第118-119页
致谢第119-120页
附录第120-135页

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