| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第14-34页 |
| 1.1 选题目的和意义 | 第14-15页 |
| 1.2 ZrB_2基陶瓷的性质及其连接技术研究现状 | 第15-25页 |
| 1.2.1 ZrB_2基陶瓷的性质 | 第16-18页 |
| 1.2.2 液态金属在ZrB_2基陶瓷表面的润湿行为 | 第18-22页 |
| 1.2.3 ZrB_2基陶瓷连接技术进展 | 第22-25页 |
| 1.3 陶瓷/金属接头的应力调节技术 | 第25-30页 |
| 1.3.1 低温连接法 | 第26-28页 |
| 1.3.2 复合中间层法 | 第28-29页 |
| 1.3.3 增强相复合法 | 第29-30页 |
| 1.4 原位TiB晶须增强技术研究现状 | 第30-32页 |
| 1.5 本课题的主要研究内容 | 第32-34页 |
| 第2章 试验材料及方法 | 第34-39页 |
| 2.1 试验材料 | 第34-35页 |
| 2.1.1 ZrB_2-SiC制备方法 | 第34页 |
| 2.1.2 被焊材料 | 第34-35页 |
| 2.2 焊接设备与工艺 | 第35-37页 |
| 2.2.1 焊接设备 | 第35-36页 |
| 2.2.2 钎焊、扩散焊连接工艺 | 第36-37页 |
| 2.3 材料表征与力学性能测试 | 第37-39页 |
| 2.3.1 材料表征方法 | 第37-38页 |
| 2.3.2 力学性能测试 | 第38-39页 |
| 第3章 ZrB_2-SiC连接过程中二维TiB晶须阵列的制备和组织研究 | 第39-66页 |
| 3.1 引言 | 第39页 |
| 3.2 钎焊过程中TiB晶须原位反应的设计 | 第39-44页 |
| 3.2.1 ZrB_2-SiC陶瓷与Ag基钎料的界面反应 | 第39-41页 |
| 3.2.2 钎焊中间层反应体系的热力学设计 | 第41-44页 |
| 3.3 液相反应制备二维TiB晶须阵列 | 第44-59页 |
| 3.3.1 Ti含量对接头原位反应的影响 | 第44-47页 |
| 3.3.2 ZS/Ag-Cu/Ti/ZS接头的典型界面组织 | 第47-51页 |
| 3.3.3 钎焊温度对接头原位反应的影响 | 第51-53页 |
| 3.3.4 TiB晶须阵列增强法连接ZrB_2-SiC与TC4合金 | 第53-55页 |
| 3.3.5 ZS/Ag-Cu/TC4接头的组织演化规律 | 第55-59页 |
| 3.4 固相反应制备二维TiB晶须阵列 | 第59-62页 |
| 3.4.1 ZS/Ti/Nb接头固相反应的典型界面组织 | 第59-60页 |
| 3.4.2 不同连接温度下接头的组织演化规律 | 第60-62页 |
| 3.5 SiC对TiB晶须原位反应的影响 | 第62-64页 |
| 3.6 本章小结 | 第64-66页 |
| 第4章 ZrB_2-SiC连接过程中三维TiB晶须的制备和组织研究 | 第66-87页 |
| 4.1 引言 | 第66页 |
| 4.2 Ti-Cu中间层体系三维TiB晶须增强接头的制备 | 第66-71页 |
| 4.2.1 反应温度对接头组织结构的影响 | 第66-69页 |
| 4.2.2 三维TiB晶须增强体的形成机制 | 第69-71页 |
| 4.3 Ti-Ni中间层体系三维TiB晶须增强接头的制备 | 第71-82页 |
| 4.3.1 Ti-Ni接触反应的设计 | 第71-77页 |
| 4.3.2 不同Ti/Ni比例对接头组织结构的影响 | 第77-80页 |
| 4.3.3 连接温度对接头组织结构的影响 | 第80-82页 |
| 4.4 Ti-Ni复合箔片接触反应钎焊ZS和Nb | 第82-86页 |
| 4.5 本章小结 | 第86-87页 |
| 第5章 ZrB_2-SiC连接过程中TiB晶须的生长机制 | 第87-99页 |
| 5.1 引言 | 第87页 |
| 5.2 TiB晶体特点 | 第87-89页 |
| 5.3 固相反应中TiB的生长机制及生长动力学 | 第89-92页 |
| 5.4 液相反应中TiB的生长机制 | 第92-98页 |
| 5.4.1 TiB生长机制及含Nb液相中的溶解机制 | 第93-96页 |
| 5.4.2 TiB的取向和生长动力学 | 第96-98页 |
| 5.5 本章小结 | 第98-99页 |
| 第6章 ZrB_2-SiC陶瓷连接接头的力学性能 | 第99-121页 |
| 6.1 引言 | 第99页 |
| 6.2 TiB增强区的细观力学性能分析 | 第99-108页 |
| 6.2.1 单根晶须的应力场模拟 | 第99-102页 |
| 6.2.2 TiB对接头增强区热膨胀系数的调节 | 第102-104页 |
| 6.2.3 TiB对增强区弹性模量的调节 | 第104-105页 |
| 6.2.4 TiB增强接头的纳米压痕和显微压痕测试 | 第105-108页 |
| 6.3 TiB增强接头的室温剪切强度 | 第108-116页 |
| 6.3.1 TiB晶须阵列增强接头的剪切强度 | 第108-114页 |
| 6.3.2 三维TiB晶须增强接头的剪切强度 | 第114-116页 |
| 6.4 TiB晶须增强接头的高温剪切强度 | 第116-117页 |
| 6.5 TiB晶须对接头的增韧机制 | 第117-120页 |
| 6.6 本章小结 | 第120-121页 |
| 结论 | 第121-124页 |
| 创新点 | 第122-123页 |
| 展望 | 第123-124页 |
| 参考文献 | 第124-136页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第136-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
| 个人简历 | 第140页 |
