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SiC/C界面辐照损伤及传热性能的分子动力学研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第1章 绪论第12-22页
    1.1 选题背景第12-13页
    1.2 国内外研究现状第13-18页
        1.2.1 SiC/SiC复合材料的组成第14-16页
        1.2.2 计算机模拟在研究材料性能方面的应用第16-18页
    1.3 选题的意义及研究内容第18-19页
        1.3.1 选题的意义第18页
        1.3.2 研究内容第18-19页
    1.4 论文结构安排第19-22页
第2章 物理背景与分子动力学模拟概述第22-36页
    2.1 物理背景第22-24页
        2.1.1 声子第22页
        2.1.2 热导率第22-23页
        2.1.3 复合材料界面热导第23-24页
        2.1.4 声子振动态密度第24页
    2.2 分子动力学模拟概述第24-28页
        2.2.1 分子动力学的一般概念第24-25页
        2.2.2 分子动力学模拟基本步骤第25-27页
        2.2.3 分子间作用势第27页
        2.2.4 积分算法第27页
        2.2.5 统计系综第27页
        2.2.6 时间步长第27-28页
    2.3 分子动力学计算热导率的方法第28-30页
        2.3.1 平衡态分子动力学模拟第28-29页
        2.3.2 非平衡态分子动力学模拟第29-30页
    2.4 LAMMPS软件可靠性验证第30-32页
        2.4.1 使用EMD方法计算Ar在85K时的热导率第30-31页
        2.4.2 使用rNEMD方法计算Ar在85 K时的热导率第31-32页
    2.5 分子动力学计算热导率基本理论第32-34页
        2.5.1 热流方向存在有限尺寸效应第32-34页
        2.5.2 垂直热流方向截面积对模拟的影响第34页
    2.6 本章小结第34-36页
第3章 单质SIC与石墨的热导率计算第36-46页
    3.1 参数设置第36-41页
        3.1.1 晶体模型第36页
        3.1.2 势能函数第36-41页
    3.2 不同温度条件下SiC材料的热导率第41-43页
    3.3 块体SiC和石墨的热导率计算第43-45页
    3.4 本章小结第45-46页
第4章 SIC/C界面的辐照性能第46-56页
    4.1 引言第46页
    4.2 物理模型第46-50页
        4.2.1 初始结构第46-47页
        4.2.2 原子间势函数第47-48页
        4.2.3 模拟细节第48页
        4.2.4 缺陷判断方法第48-49页
        4.2.5 离位阈能计算第49-50页
        4.2.6 径向分布函数计算第50页
    4.3 计算结果与讨论第50-54页
        4.3.1 离位阈能计算与缺陷分布第50-51页
        4.3.2 SiC/C界面的缺陷分布第51-54页
    4.4 本章小结第54-56页
第5章 SIC/C界面热导第56-70页
    5.1 引言第56页
    5.2 物理模型第56-59页
        5.2.1 初始结构第56-57页
        5.2.2 原子间势函数第57页
        5.2.3 模拟细节介绍第57-58页
        5.2.4 界面能的计算第58页
        5.2.5 声子振动态密度第58-59页
    5.3 计算结果与讨论第59-67页
        5.3.1 共价键、界面能和界面热导计算结果第60-61页
        5.3.2 界面区域热导机制第61-65页
        5.3.3 辐照后界面区域热导变化机制第65-67页
    5.4 本章小结第67-70页
结论第70-72页
参考文献第72-84页
攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果第84-86页
致谢第86页

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