| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 CMOS图像传感器介绍 | 第11-16页 |
| 1.2.1 CMOS图像传感器概述 | 第11页 |
| 1.2.2 CMOS图像传感器国内外研究进展 | 第11-14页 |
| 1.2.3 CMOS图像传感器与CCD图像传感器的比较 | 第14-15页 |
| 1.2.4 CMOS图像传感器的应用与发展趋势 | 第15-16页 |
| 1.3 选题的目的及意义 | 第16页 |
| 1.4 论文结构安排 | 第16-18页 |
| 第2章 CMOS图像传感器结构与特性参数 | 第18-32页 |
| 2.1 CMOS图像传感器系统结构与光电转换 | 第18-21页 |
| 2.1.1 CMOS图像传感器系统结构 | 第18-19页 |
| 2.1.2 光电转换与光生电荷的收集 | 第19-21页 |
| 2.2 CMOS图像传感器像素结构及工作原理 | 第21-27页 |
| 2.2.1 CMOS无源像素结构 | 第21-22页 |
| 2.2.2 CMOS有源像素结构 | 第22-26页 |
| 2.2.3 CMOS数字像素结构 | 第26-27页 |
| 2.3 CMOS图像传感器的特性参数 | 第27-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 4T有源像素模拟与PPD的优化 | 第32-46页 |
| 3.1 PPD型 4T有源像素结构 | 第32页 |
| 3.2 Sentaurus TCAD与 4T有源像素模拟 | 第32-37页 |
| 3.2.1 工艺模拟器SProcess | 第33-35页 |
| 3.2.2 网格化工具SDE | 第35页 |
| 3.2.3 器件模拟器SDevice | 第35-37页 |
| 3.3 PPD的优化 | 第37-45页 |
| 3.3.1 优化方案 | 第37-39页 |
| 3.3.2 仿真验证 | 第39-43页 |
| 3.3.3 仿真结果对比分析 | 第43-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 4T有源像素传输管沟道电势分布的优化 | 第46-58页 |
| 4.1 传输管沟道电荷转移 | 第46-49页 |
| 4.2 非均匀沟道掺杂的像素结构 | 第49-51页 |
| 4.2.1 优化方案 | 第49页 |
| 4.2.2 仿真验证 | 第49-51页 |
| 4.3 斜面栅氧化层栅极的像素结构 | 第51-53页 |
| 4.3.1 优化方案 | 第51-52页 |
| 4.3.2 仿真验证 | 第52-53页 |
| 4.4 P+N+型栅极掺杂的像素结构 | 第53-56页 |
| 4.4.1 优化方案 | 第53-54页 |
| 4.4.2 仿真验证 | 第54-56页 |
| 4.5 仿真结果对比分析 | 第56-57页 |
| 4.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |