| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 NiFe合金简介 | 第9-10页 |
| 1.2 NiFe薄膜磁电阻效应 | 第10-12页 |
| 1.2.1 磁电阻效应 | 第10页 |
| 1.2.2 各向异性磁电阻效应 | 第10-11页 |
| 1.2.3 其他磁电阻效应 | 第11-12页 |
| 1.3 NiFe薄膜的应用领域 | 第12-14页 |
| 1.4 国内外研究进展 | 第14-16页 |
| 1.5 论文研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 NiFe薄膜的制备、表征、测试方法 | 第17-27页 |
| 2.1 NiFe薄膜制备方法简介 | 第17-18页 |
| 2.2 磁控溅射法镀膜 | 第18-22页 |
| 2.2.1 磁控溅射的原理 | 第18-20页 |
| 2.2.2 磁控溅射仪器的操作 | 第20-22页 |
| 2.3 NiFe薄膜的表征方法 | 第22-25页 |
| 2.3.1 能谱仪(EDS) | 第22-23页 |
| 2.3.2 X射线衍射(XRD) | 第23页 |
| 2.3.3 原子力显微镜(AFM) | 第23-24页 |
| 2.3.4 振动样品磁强计(VSM) | 第24-25页 |
| 2.3.5 台阶仪 | 第25页 |
| 2.4 AMR值的测试方法 | 第25-27页 |
| 第三章 NiFe薄膜的制备与分析 | 第27-40页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 镀膜前的准备 | 第28-30页 |
| 3.3 Ta缓冲层的优化 | 第30-35页 |
| 3.3.1 Ta缓冲层厚度 | 第30-32页 |
| 3.3.2 Ta缓冲层制备温度 | 第32-33页 |
| 3.3.3 薄膜的磁性能 | 第33-35页 |
| 3.4 NiFe层的厚度研究 | 第35-36页 |
| 3.5 基片温度的研究 | 第36-40页 |
| 第四章 衬底粗糙度对NiFe薄膜的影响 | 第40-52页 |
| 4.1 引言 | 第40-42页 |
| 4.2 衬底清洗对NiFe薄膜AMR的影响 | 第42-43页 |
| 4.3 MgO衬底粗糙度对NiFe薄膜AMR的影响 | 第43-48页 |
| 4.4 Si3N4衬底粗糙度对NiFe薄膜AMR的影响 | 第48-50页 |
| 4.5 非本征硅衬底对NiFe薄膜AMR的影响 | 第50页 |
| 4.6 小结 | 第50-52页 |
| 第五章 磁电阻传感单元的制备 | 第52-58页 |
| 5.1 引言 | 第52-54页 |
| 5.1.1 Wheatstone bridge结构原理 | 第53-54页 |
| 5.2 Wheatstone bridge的制备光刻工艺 | 第54-56页 |
| 5.3 磁电阻单元灵敏度测试 | 第56-58页 |
| 第六章 论文结论与展望 | 第58-60页 |
| 6.1 结论 | 第58-59页 |
| 6.2 展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第64-65页 |
