摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 课题背景和前言 | 第8-25页 |
1.1 纳米半导体材料简介 | 第8-13页 |
1.1.1 纳米材料 | 第8页 |
1.1.2 纳米材料的特性及物化性质 | 第8-9页 |
1.1.3 半导体纳米材料及其光学性质 | 第9-13页 |
1.2 ZnO纳米材料 | 第13-20页 |
1.2.1 ZnO晶体结构及基本性质 | 第13-14页 |
1.2.2 ZnO纳米结构材料的制备方法 | 第14-15页 |
1.2.3 ZnO纳米材料的光学性质 | 第15-20页 |
1.3 Sn的氧族化合物纳米材料 | 第20-23页 |
1.3.1 Ⅳ-Ⅵ族半导体材料 | 第20-22页 |
1.3.2 Sn的硫化物纳米材料及SnS晶体结构和潜在应用 | 第22-23页 |
1.4 选题依据与研究内容 | 第23-25页 |
第二章 表面沉积金团簇的氧化锌多孔纳米片的表面增强拉曼光谱 | 第25-37页 |
2.1 引言 | 第25-27页 |
2.2 拉曼增强机理 | 第27-31页 |
2.2.1 物理模型 | 第27-29页 |
2.2.2 化学增强模型 | 第29-31页 |
2.3 ZnO纳米材料的拉曼增强光谱研究进展 | 第31页 |
2.4 实验 | 第31-32页 |
2.5 结果与讨论 | 第32-36页 |
2.6 小结 | 第36-37页 |
第三章 一步法合成具有极强微波吸收性能的ZnO纳米树状结构 | 第37-46页 |
3.1 引言 | 第37-38页 |
3.2 纳米材料的微波吸收机理 | 第38-42页 |
3.2.1 微波吸收材料的基本原理 | 第38-40页 |
3.2.2 纳米材料的吸波条件 | 第40-41页 |
3.2.3 纳米材料微波吸收机理解释 | 第41页 |
3.2.4 纳米材料对电磁波吸收的损耗衰减 | 第41-42页 |
3.3 实验 | 第42页 |
3.4 结果与讨论 | 第42-45页 |
3.5 小结 | 第45-46页 |
第四章 SnS纳米结构的制备和表征 | 第46-56页 |
4.1 引言 | 第46-47页 |
4.2 SnS亚微米孔道结构的制备及其表征 | 第47-50页 |
4.2.1 实验方法 | 第47页 |
4.2.2 结果与讨论 | 第47-50页 |
4.3 温度对化学气相沉积产生的SnS纳米结构及形貌的影响 | 第50-54页 |
4.3.1 实验 | 第50页 |
4.3.2 结果与讨论 | 第50-54页 |
4.4 小结 | 第54-56页 |
第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
5.1 主要结论 | 第56-57页 |
5.2 展望 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-70页 |
作者简历 | 第70-71页 |
在学期间的研究成果 | 第71-72页 |
致谢 | 第72页 |