| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-18页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·国内外超光滑表面加工技术的发展 | 第8-16页 |
| ·发展过程 | 第8-9页 |
| ·国外几种非传统的抛光方法简介 | 第9-14页 |
| ·国内超光滑表面加工的发展现状 | 第14-16页 |
| ·论文研究主要内容及意义 | 第16-17页 |
| ·论文研究的主要内容 | 第16页 |
| ·论文研究的意义 | 第16-17页 |
| ·论文章节安排 | 第17页 |
| ·小结 | 第17-18页 |
| 2 等离子体加工光学表面技术 | 第18-29页 |
| ·等离子体的基本概念 | 第18-19页 |
| ·等离子体的定义 | 第18-19页 |
| ·等离子体的产生 | 第19页 |
| ·辉光放电 | 第19-23页 |
| ·射频电容耦合放电等离子体 | 第23-24页 |
| ·反应离子刻蚀 | 第24-26页 |
| ·气—固相等离子体化学反应 | 第26-28页 |
| ·等离子体与固体的反应类型 | 第26-27页 |
| ·等离子体刻蚀中的化学过程 | 第27-28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 3 课题方案论证 | 第29-37页 |
| ·实验装置及技术路线 | 第29-32页 |
| ·实验设备 | 第29页 |
| ·实验装置的改进 | 第29-30页 |
| ·实验技术路线 | 第30-32页 |
| ·表面检测装置介绍 | 第32-34页 |
| ·Taylor Hobson非接触式检测仪 | 第32-33页 |
| ·From TaitSurf Series 2轮廓检测仪 | 第33-34页 |
| ·掩蔽层图形化工艺 | 第34-36页 |
| ·实验设备及材料 | 第34页 |
| ·掩蔽层薄膜图形化工艺流程 | 第34-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 4 等离子体去除速率的影响因素研究 | 第37-49页 |
| ·等离子体去除速率影响因素的实验研究 | 第37-41页 |
| ·实验研究过程 | 第37-38页 |
| ·实验结果 | 第38-41页 |
| ·实验分析 | 第41-47页 |
| ·氧气流量对石英基片去除速率的影响 | 第41-42页 |
| ·射频功率对石英基片去除速率的影响 | 第42-43页 |
| ·磁场对石英基片去除速率的影响 | 第43-44页 |
| ·抛光时间对石英基片去除速率的影响 | 第44-45页 |
| ·起始表面状态对石英基片去除速率的影响 | 第45-46页 |
| ·等离子体去除速率的工艺选择 | 第46-47页 |
| ·实验结论 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 5 等离子体抛光表面粗糙度的影响因素研究 | 第49-60页 |
| ·等离子体抛光表面粗糙度影响因素的实验研究 | 第49-53页 |
| ·实验过程 | 第49页 |
| ·实验结果 | 第49-53页 |
| ·实验分析 | 第53-58页 |
| ·氧气流量对石英基片表面粗糙度的影响 | 第53-54页 |
| ·射频功率对石英基片表面粗糙度的影响 | 第54-55页 |
| ·磁场对石英基片表面粗糙度的影响 | 第55-56页 |
| ·抛光时间对石英基片表面粗糙度的影响 | 第56页 |
| ·起始表面状态对石英基片表面粗糙度的影响 | 第56-57页 |
| ·等离子体抛光表面粗糙度的工艺选择 | 第57-58页 |
| ·实验结论 | 第58-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 6 结论 | 第60-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-70页 |