碳纳米管场效应管的建模与仿真研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 纳米电子学的研究背景 | 第7页 |
| 1.2 传统场效应管面临的挑战 | 第7-9页 |
| 1.3 碳纳米管场效应管的优势 | 第9-10页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第10-11页 |
| 第二章 碳纳米管场效应管 | 第11-20页 |
| 2.1 碳纳米管的结构 | 第11-13页 |
| 2.2 碳纳米管的能带 | 第13-16页 |
| 2.2.1 石墨层 | 第13-15页 |
| 2.2.2 碳纳米管 | 第15-16页 |
| 2.3 碳纳米管场效应管 | 第16-20页 |
| 2.3.1 肖特基势垒型 | 第17-18页 |
| 2.3.2 类MOSFET 型 | 第18-19页 |
| 2.3.3 隧穿型 | 第19-20页 |
| 第三章 纳米器件的建模 | 第20-40页 |
| 3.1 半经典输运 | 第20-24页 |
| 3.1.1 散射输运 | 第20-22页 |
| 3.1.2 弹道输运 | 第22-24页 |
| 3.2 场效应管的半经典模型 | 第24-26页 |
| 3.3 量子输运 | 第26-28页 |
| 3.3.1 弹道输运 | 第26-27页 |
| 3.3.2 散射输运 | 第27-28页 |
| 3.4 非平衡格林函数方法 | 第28-38页 |
| 3.4.1 紧束缚哈密顿量 | 第28-29页 |
| 3.4.2 无限大电极的截断 | 第29-31页 |
| 3.4.3 物理量的格林函数表示 | 第31-33页 |
| 3.4.4 光子散射 | 第33-34页 |
| 3.4.5 分层结构 | 第34-38页 |
| 3.5 场效应管的NEGF 模型 | 第38-40页 |
| 第四章 CNTFET 的NEGF 模型与仿真 | 第40-48页 |
| 4.1 CNTFET 的建模 | 第40-44页 |
| 4.1.1 实空间方法 | 第40-42页 |
| 4.1.2 模式空间方法 | 第42-44页 |
| 4.2 CNTFET 的仿真 | 第44-48页 |
| 4.2.1 Poisson 方程的求解 | 第44-45页 |
| 4.2.2 仿真结果 | 第45-48页 |
| 第五章 CNTFET 的半经典模型与仿真 | 第48-77页 |
| 5.1 单壁碳纳米管阵列场效应管 | 第48-61页 |
| 5.1.1 电路模型 | 第48-49页 |
| 5.1.2 电流源 | 第49-52页 |
| 5.1.3 电容 | 第52-57页 |
| 5.1.4 电阻 | 第57-60页 |
| 5.1.5 电感 | 第60-61页 |
| 5.2 双壁碳纳米管阵列场效应管 | 第61-68页 |
| 5.2.1 电路模型 | 第63-64页 |
| 5.2.2 电流源 | 第64-65页 |
| 5.2.3 电容 | 第65-68页 |
| 5.2.4 电阻和电感 | 第68页 |
| 5.3 性能的分析与比较 | 第68-75页 |
| 5.3.1 本征沟道特性 | 第69-71页 |
| 5.3.2 掺杂、阵列、以及寄生电容 | 第71-74页 |
| 5.3.3 总体性能 | 第74-75页 |
| 5.3.4 结论 | 第75页 |
| 5.4 多壁碳纳米管阵列场效应管 | 第75-77页 |
| 第六章 总结与展望 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 攻读学位期间发表和撰写的学术论文 | 第83-86页 |
| 上海交通大学硕士学位论文答辩决议书 | 第86页 |
