摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第9-15页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 周期极化铌酸锂光波导的研究现状与发展 | 第9-12页 |
1.3 本论文的主要工作与意义 | 第12-15页 |
第2章 PPLN晶体中的准相位匹配原理 | 第15-29页 |
2.1 准相位匹配技术基本原理 | 第16-18页 |
2.2 周期极化晶体中的倍频过程 | 第18-23页 |
2.2.1 周期极化铌酸锂晶体中二次谐波的产生 | 第18-21页 |
2.2.2 SHG过程中转换效率的计算 | 第21-23页 |
2.3 周期极化铌酸锂晶体中THZ波的产生 | 第23-28页 |
2.3.1 准相位匹配实现差频THz波产生 | 第24-26页 |
2.3.2 THz波的差频增益特性 | 第26-28页 |
2.4 本章小结 | 第28-29页 |
第3章 近化学计量比TI:MG:PPLN条波导的制备与表征 | 第29-43页 |
3.1 近化学计量比TI:MG:PPLN条波导的制备 | 第30-34页 |
3.1.1 Ti/Mg预扩散 | 第30-32页 |
3.1.2 富锂VTE后处理 | 第32-33页 |
3.1.3 外加电场极化 | 第33-34页 |
3.2 近化学计量比TI:MG:PPLN条波导性能的表征 | 第34-39页 |
3.2.1 样品表面组份的确定 | 第34-35页 |
3.2.2 波导损耗的表征 | 第35-38页 |
3.2.3 波导的倍频特性 | 第38-39页 |
3.3 近化学计量比TI:MG:PPLN条波导畴结构的观察 | 第39-41页 |
3.3.1 畴结构的观察 | 第39-40页 |
3.3.2 极化系统的改进 | 第40-41页 |
3.4 本章小结 | 第41-43页 |
第4章 硅基氧化钽脊形波导的制备与表征 | 第43-53页 |
4.1 硅基氧化钽脊形波导的制备 | 第44-46页 |
4.1.1 硅基氧化钽薄膜 | 第44页 |
4.1.2 硅基氧化钽脊形波导的制备 | 第44-46页 |
4.2 硅基氧化钽脊形波导的表征 | 第46-49页 |
4.2.1 光纤透镜的输出模场 | 第46页 |
4.2.2 硅基氧化钽波导的近场模式 | 第46-48页 |
4.2.3 硅基氧化钽脊形波导损耗的表征 | 第48-49页 |
4.3 氧化钽-LNOI脊形结构 | 第49-52页 |
4.3.1 绝缘衬底铌酸锂(LNOI) | 第50-51页 |
4.3.2 氧化钽-LNOI脊形结构的制备 | 第51-52页 |
4.4 本章小结 | 第52-53页 |
第5章 基于PPLN和PP-LNOI波导的THZ波产生系统设计 | 第53-63页 |
5.1 PPLN光参量放大器的设计 | 第54-58页 |
5.1.1 PPLN晶体中的参量放大过程 | 第54-56页 |
5.1.2 PPLN参量放大器在 1.5μm波段的输出调谐 | 第56-58页 |
5.2 准相位匹配差频产生THZ的周期设计 | 第58-61页 |
5.3 基于PP-LNOI晶片的THZ波产生系统 | 第61-62页 |
5.4 本章小结 | 第62-63页 |
第6章 总结与展望 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-69页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第69-70页 |
致谢 | 第70-71页 |