| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 1 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 金属硫化物半导体材料 | 第10-13页 |
| 1.2.1 金属硫化物半导体材料概述 | 第10-11页 |
| 1.2.2 金属硫化物半导体材料分类 | 第11-13页 |
| 1.3 二元金属硫化物纳米材料 | 第13-15页 |
| 1.3.1 二元铜基金属硫化物纳米材料 | 第13-14页 |
| 1.3.2 其他二元金属硫化物纳米材料 | 第14-15页 |
| 1.4 多元金属硫化物纳米材料 | 第15-17页 |
| 1.4.1 金属硫化物异质结纳米材料 | 第15-16页 |
| 1.4.2 合金型金属硫化物纳米材料 | 第16-17页 |
| 1.5 两相界面合成法 | 第17-18页 |
| 1.6 论文选题及主要内容 | 第18-19页 |
| 2 两相界面法控制制备二元金属硫化物纳米材料 | 第19-34页 |
| 2.1 引言 | 第19-20页 |
| 2.2 实验部分 | 第20-22页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第20页 |
| 2.2.2 实验仪器及表征设备 | 第20-21页 |
| 2.2.3 二元金属硫化物纳米材料制备方法 | 第21-22页 |
| 2.3 二元金属硫化物的两相界面法合成与机理研究 | 第22-31页 |
| 2.3.1 DDT用量对Cu_(31)S_(16)纳米材料性能的影响 | 第22-27页 |
| 2.3.2 羟基离子对Cu_(31)S_(16)纳米材料性能的影响 | 第27-28页 |
| 2.3.3 阴离子对Cu_(31)S_(16)纳米材料的影响 | 第28-30页 |
| 2.3.4 反应机理研究 | 第30-31页 |
| 2.4 其他二元金属硫化物的两相法合成与表征 | 第31-33页 |
| 2.4.1 Ag_2S纳米材料的合成与表征 | 第31-32页 |
| 2.4.2 Ni_9S_8纳米材料的合成与表征 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 3 铜基硫化物异质结纳米材料的制备及生长机理研究 | 第34-49页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 实验部分 | 第35-37页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第35页 |
| 3.2.2 实验方法 | 第35-37页 |
| 3.3 不同形貌Cu_(31)S_(16)-ZnS异质结纳米晶的合成与表征 | 第37-46页 |
| 3.3.1 Cu/Zn投料比对Cu_(31)S_(16)-ZnS异质结纳米晶性能的影响 | 第37-40页 |
| 3.3.2 反应时间对Cu_(31)S_(16)-ZnS异质结纳米晶形貌和晶型的影响 | 第40-43页 |
| 3.3.3 Zn源种类对Cu_(31)S_(16)-ZnS异质结纳米晶形貌和晶型的影响 | 第43-45页 |
| 3.3.4 机理研究 | 第45-46页 |
| 3.4 水滴状Cu_(31)S_(16)-CdS异质结纳米晶的合成与表征 | 第46-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 4 Cu_(31)S_(16)-CdS_2异质结纳米材料的制备及形貌调控 | 第49-57页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 实验部分 | 第49-51页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第49-50页 |
| 4.2.2 实验仪器及表征设备 | 第50页 |
| 4.2.3 实验方法 | 第50-51页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第51-56页 |
| 4.3.1 短火柴棒状Cu_(31)S_(16)-CdS_2异质结纳米晶的合成与表征 | 第51-53页 |
| 4.3.2 Cu/In摩尔比对Cu_(31)S_(16)-CdS_2纳米材料形貌和晶型的影响 | 第53-54页 |
| 4.3.3 In源对Cu_(31)S_(16)-CdS_2纳米材料的影响 | 第54-55页 |
| 4.3.4 反应时间对Cu_(31)S_(16)-CdS_2纳米材料形貌的影响 | 第55-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 5 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第62-64页 |
| 学位论文数据集 | 第64页 |
