Si和F共掺杂的DLC:Si:F薄膜的结构和性能研究
| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-12页 |
| 1.2 DLC薄膜 | 第12-14页 |
| 1.2.1 DLC概述 | 第12页 |
| 1.2.2 DLC薄膜的结构 | 第12-14页 |
| 1.3 F-DLC薄膜 | 第14-17页 |
| 1.3.1 F-DLC薄膜的结构 | 第14-15页 |
| 1.3.2 F的引入对DLC薄膜性能的影响 | 第15-17页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 DLC:Si:F薄膜的制备 | 第18-25页 |
| 2.1 等离子体技术简介 | 第18页 |
| 2.2 射频反应磁控溅射 | 第18-24页 |
| 2.2.1 溅射技术 | 第18-20页 |
| 2.2.2 射频溅射技术 | 第20页 |
| 2.2.3 磁控溅射技术 | 第20-22页 |
| 2.2.4 射频反应磁控溅射技术 | 第22-23页 |
| 2.2.5 射频反应磁控溅射装置 | 第23-24页 |
| 2.3 基片及其预处理 | 第24-25页 |
| 第三章 DLC:Si:F薄膜结构和性能的表征 | 第25-36页 |
| 3.1 薄膜厚度的测量 | 第25页 |
| 3.2 薄膜表面形貌及粗糙度 | 第25-27页 |
| 3.3 薄膜摩擦性能测试 | 第27-28页 |
| 3.4 薄膜硬度测试 | 第28-29页 |
| 3.5 薄膜附着力测试 | 第29-31页 |
| 3.6 薄膜的疏水性能 | 第31-32页 |
| 3.7 薄膜的拉曼光谱 | 第32-34页 |
| 3.8 薄膜的红外光谱 | 第34-36页 |
| 第四章 DLC:Si:F薄膜结构和性能研究 | 第36-62页 |
| 4.1 DLC:Si:F薄膜的沉积速率 | 第36-39页 |
| 4.1.1 薄膜沉积速率与极间距的关系 | 第36-37页 |
| 4.1.2 薄膜沉积速率与入射功率的关系 | 第37-39页 |
| 4.2 附着力测试 | 第39-42页 |
| 4.3 薄膜摩擦性能测试 | 第42-46页 |
| 4.4 AFM测试分析 | 第46-50页 |
| 4.5 硬度分析 | 第50-51页 |
| 4.6 薄膜疏水性能的研究 | 第51-53页 |
| 4.7 不同功率下薄膜的拉曼光谱分析 | 第53-56页 |
| 4.8 红外光谱表征 | 第56-62页 |
| 4.8.1 不同功率下的红外光谱分析 | 第56-59页 |
| 4.8.2 对Si-C红外吸收峰的验证实验 | 第59-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 攻读学位期间公开发表论文 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
