| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 MAX相材料简介 | 第11-14页 |
| 1.2 MAX相的研究背景 | 第14-15页 |
| 1.3 缺陷 | 第15-17页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第17-28页 |
| 2.1 第一性原理 | 第17页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第17-25页 |
| 2.2.1 Thomas-Fermi-Dirac理论 | 第18-19页 |
| 2.2.2 Hohenberg-Kohn存在定理 | 第19-20页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第20-22页 |
| 2.2.4 泛函的研究 | 第22-25页 |
| 2.3 计算方法 | 第25-28页 |
| 2.3.1 CASTEP简介 | 第25页 |
| 2.3.2 计算方法 | 第25-28页 |
| 第三章 空位对Nb_2GeC的结构性质、电子性质以及硬度的影响 | 第28-35页 |
| 3.1 Nb_2GeC的结构性质 | 第28-29页 |
| 3.2 单空位形成能 | 第29页 |
| 3.3 电子性质 | 第29-32页 |
| 3.4 费米面 | 第32页 |
| 3.5 完美晶胞的Mulliken键布局和理论硬度与存在空位的Nb_2GeC的比较 | 第32-33页 |
| 3.6 小结 | 第33-35页 |
| 第四章 O，H，He杂质对Nb_2GeC的结构性质、电子性质的影响 | 第35-42页 |
| 4.1 结构常数 | 第35-38页 |
| 4.1.1 氧杂质 | 第35-36页 |
| 4.1.2 氢杂质 | 第36-38页 |
| 4.1.3 氦杂质 | 第38页 |
| 4.2 O，H，He代替和间隙的形成能 | 第38-39页 |
| 4.2.1 氧替代和间隙的形成能 | 第38-39页 |
| 4.2.2 氢替代和间隙的形成能 | 第39页 |
| 4.2.3 氦替代和间隙的形成能 | 第39页 |
| 4.3 存在杂质的Nb_2GeC的电子性质 | 第39-41页 |
| 4.3.1 氧杂质 | 第39页 |
| 4.3.2 氢杂质 | 第39-41页 |
| 4.3.3 氦杂质 | 第41页 |
| 4.4 小结 | 第41-42页 |
| 第五章 空位和O杂质对Ti_2GaC的结构性质、电子性质的影响 | 第42-50页 |
| 5.1 结构性质 | 第42-44页 |
| 5.2 单空位形成与迁移 | 第44-45页 |
| 5.3 Ti_2GaC中的氧杂质 | 第45-49页 |
| 5.4 小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
