摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第14-26页 |
1.1 研究背景和意义 | 第14-15页 |
1.2 课题简介 | 第15-23页 |
1.2.1 电卡效应简述 | 第15页 |
1.2.2 钙钛矿型铁电体 | 第15-17页 |
1.2.3 掺镧锆钛酸铅陶瓷(PLZT)的性能简介 | 第17-19页 |
1.2.4 厚膜材料与厚膜器件 | 第19-20页 |
1.2.5 基于电卡效应的制冷技术原理 | 第20-23页 |
1.3 国内外研究进展 | 第23-24页 |
1.4 课题来源 | 第24-25页 |
1.5 研究内容及方法 | 第25-26页 |
第二章 PLZT 8/65/35陶瓷粉体的制备 | 第26-33页 |
2.1 原料与设备 | 第26页 |
2.2 行星式球磨工艺概述 | 第26-29页 |
2.2.1 行星式球磨机简介 | 第27-28页 |
2.2.2 行星式球磨机使用流程 | 第28-29页 |
2.3 预烧温度的选择 | 第29-30页 |
2.4 PLZT样品的X射线衍射分析 | 第30-32页 |
2.5 本章小结 | 第32-33页 |
第三章 流延成型法制备PLZT铁电厚膜 | 第33-41页 |
3.1 流延成型法简介 | 第33-35页 |
3.2 流延浆料的制备 | 第35-39页 |
3.2.1 实验设备 | 第36页 |
3.2.2 滚筒式罐磨机简介 | 第36-37页 |
3.2.3 浆料配制方案 | 第37-38页 |
3.2.4 浆料除泡 | 第38-39页 |
3.3 流延法成型步骤 | 第39-40页 |
3.4 本章小结 | 第40-41页 |
第四章 PLZT厚膜陶瓷的烧结研究 | 第41-54页 |
4.1 陶瓷烧结原理 | 第41-42页 |
4.2 陶瓷的致密烧结 | 第42-43页 |
4.2.1 致密烧结原理 | 第42-43页 |
4.2.2 加快反应速度的工艺措施 | 第43页 |
4.3 坯膜的等静压预处理 | 第43-46页 |
4.3.1 等静压的理论基础 | 第44页 |
4.3.2 冷等静压 | 第44-45页 |
4.3.3 冷等静压操作步骤 | 第45-46页 |
4.4 PLZT坯膜的烧结方案 | 第46-53页 |
4.4.1 烧结方式 | 第46-47页 |
4.4.2 利用SEM形貌表征结果设定烧结曲线 | 第47-53页 |
4.5 本章小结 | 第53-54页 |
第五章 PLZT厚膜陶瓷的性能测试 | 第54-68页 |
5.1 测试准备 | 第54-55页 |
5.2 电滞回线简介 | 第55-59页 |
5.2.1 电滞回线原理 | 第55-57页 |
5.2.2 电滞回线的测量 | 第57-59页 |
5.3 介电温谱和介电损耗的测量 | 第59-62页 |
5.3.1 居里温度和居里-外斯定律 | 第59-61页 |
5.3.2 介温测试结果分析 | 第61-62页 |
5.4 电卡效应的测量 | 第62-67页 |
5.4.1 电卡效应原理 | 第62-65页 |
5.4.2 数据处理 | 第65-67页 |
5.5 本章小结 | 第67-68页 |
第六章 反铁电体与弛豫型铁电体的研究 | 第68-78页 |
6.1 反铁电体与弛豫型铁电体简介 | 第68-69页 |
6.1.1 反铁电体 | 第68页 |
6.1.2 弛豫型铁电体 | 第68-69页 |
6.2 Pb_(0.89)La_(0.11)(Zr_(0.7)Ti_(0.3))_(0.9725)O_3和Pb_(0.93)La_(0.07)(Zr_(0.82)Ti_(0.18))_(0.9825)O_3的制备 | 第69-70页 |
6.3 样品性能表征 | 第70-71页 |
6.3.1 SEM扫描 | 第70页 |
6.3.2 XRD衍射分析 | 第70-71页 |
6.4 介电温谱和介电损耗的测量 | 第71-72页 |
6.5 铁电性能测试结果 | 第72-77页 |
6.5.1 电滞回线测量结果分析 | 第72-74页 |
6.5.2 热释电系数结果 | 第74-77页 |
6.6 本章小结 | 第77-78页 |
结论 | 第78-80页 |
参考文献 | 第80-86页 |
攻读学位期间发表的论文 | 第86-88页 |
致谢 | 第88页 |