摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
符号对照表 | 第12-13页 |
缩略语对照表 | 第13-16页 |
第一章 绪论 | 第16-22页 |
1.1 研究背景及其意义 | 第16页 |
1.2 InSb红外焦平面探测器国内外研究现状 | 第16-19页 |
1.2.1 InSb红外焦平面探测器国内外研究现状 | 第17-19页 |
1.2.2 InSb红外焦平面探测器器件结构发展简介 | 第19页 |
1.3 论文的主要研究内容 | 第19-20页 |
1.4 本章小结 | 第20-22页 |
第二章 InSb红外焦平面探测器的基本原理与建模 | 第22-34页 |
2.1 光伏型红外探测器工作原理 | 第22-25页 |
2.1.1 p-n结电压电流方程 | 第22-24页 |
2.1.2 光生伏特效应 | 第24-25页 |
2.2 红外焦平面探测器的主要性能参数 | 第25-29页 |
2.2.1 串音CT | 第26页 |
2.2.2 量子效率 η | 第26-27页 |
2.2.3 探测度D~* | 第27-28页 |
2.2.4 优值R_0A | 第28-29页 |
2.2.5 光谱响应R(λ) | 第29页 |
2.3 光伏型InSb红外焦平面探测器的仿真建模 | 第29-33页 |
2.3.1 仿真软件介绍 | 第29-30页 |
2.3.2 仿真建模 | 第30-33页 |
2.4 本章小结 | 第33-34页 |
第三章 光伏型InSb红外焦平面探测器传统器件性能研究 | 第34-62页 |
3.1 光伏型InSb红外焦平面探测器传统结构 | 第34-35页 |
3.2 器件结构参数对探测器性能影响 | 第35-54页 |
3.2.1 缓冲层厚度hl和台面高度hh的变化对探测器性能的影响 | 第36-39页 |
3.2.2 缓冲层厚度hl和光敏元宽度L的变化对探测器性能的影响 | 第39-42页 |
3.2.3 缓冲层厚度hl和光敏元间距d的变化对探测器性能的影响 | 第42-45页 |
3.2.4 台面高度hh和光敏元宽度L的变化对探测器性能的影响 | 第45-48页 |
3.2.5 台面高度hh和光敏元间距d的变化对探测器性能的影响 | 第48-51页 |
3.2.6 光敏元宽度L和光敏元间距d的变化对探测器性能的影响 | 第51-54页 |
3.3 p-n结结深对探测器性能的影响 | 第54-59页 |
3.3.1 p型InSb掺杂浓度对探测器性能的影响 | 第54-55页 |
3.3.2 n型InSb掺杂浓度对探测器性能的影响 | 第55-56页 |
3.3.3 p-n结结深对探测器性能影响 | 第56-59页 |
3.4 本章小结 | 第59-62页 |
第四章 新型光伏型InSb红外焦平面探测器性能研究 | 第62-78页 |
4.1 光伏型InSb红外焦平面探测器的新结构 | 第62-63页 |
4.2 光伏型InSb红外焦平面探测器新结构与传统结构性能对比 | 第63-73页 |
4.2.1 探测器仿真结果 | 第63-64页 |
4.2.2 仿真结果分析 | 第64-73页 |
4.3 InSb红外焦平面探测器瞬态响应分析与讨论 | 第73-77页 |
4.3.1 探测器新结构和传统结构的输出响应对比分析 | 第73-74页 |
4.3.2 掺杂浓度对探测器输出响应的影响 | 第74-75页 |
4.3.3 空穴寿命及迁移率对探测器输出响应的影响 | 第75-77页 |
4.4 本章小结 | 第77-78页 |
第五章 结论与展望 | 第78-80页 |
5.1 结论 | 第78页 |
5.2 展望 | 第78-80页 |
参考文献 | 第80-84页 |
致谢 | 第84-86页 |
作者简介 | 第86-87页 |