| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 氮化硅晶体结构和性质 | 第11-13页 |
| 1.3 氮化硅基复合材料的介电性能研究 | 第13-18页 |
| 1.3.1 影响介电性能的主要因素 | 第13-16页 |
| 1.3.2 高温介电性能的研究 | 第16-18页 |
| 1.4 氮化硅基复合材料的研究现状 | 第18-20页 |
| 1.4.1 氮化硅基复合材料国外研究现状 | 第18-19页 |
| 1.4.2 氮化硅基复合材料国内研究现状 | 第19-20页 |
| 1.5 氮化硅基复合材料烧结方法及影响因素 | 第20-23页 |
| 1.5.1 氮化硅基复合材料烧结方法 | 第20-21页 |
| 1.5.2 气压烧结法影响因素 | 第21-23页 |
| 1.6 本文研究目的与研究内容 | 第23-24页 |
| 1.6.1 研究目的与意义 | 第23页 |
| 1.6.2 主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第2章 实验部分 | 第24-30页 |
| 2.1 实验材料 | 第24-25页 |
| 2.2 主要仪器 | 第25-26页 |
| 2.3 试样制备 | 第26-27页 |
| 2.4 性能测试 | 第27-29页 |
| 2.4.1 密度及显气孔率 | 第27页 |
| 2.4.2 弯曲强度和弹性模量 | 第27-29页 |
| 2.4.3 介电性能 | 第29页 |
| 2.5 显微结构分析 | 第29-30页 |
| 2.5.1 X射线衍射分析 | 第29页 |
| 2.5.2 环境扫描电子显微镜分析 | 第29页 |
| 2.5.3 气孔孔径分布及孔隙率分析 | 第29-30页 |
| 第3章 Y_2O_3对Si_3N_4陶瓷材料烧结性及性能的影响 | 第30-38页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 液相烧结过程 | 第30-31页 |
| 3.3 试样制备 | 第31页 |
| 3.4 Y_2O_3含量对Si_3N_4陶瓷材料密度、气孔率及孔径分布的影响 | 第31-33页 |
| 3.5 Y_2O_3含量对Si_3N_4陶瓷材料相组成和微观结构的影响 | 第33-35页 |
| 3.6 Y_2O_3含量对Si_3N_4陶瓷材料力学性能和介电性能的影响 | 第35-37页 |
| 3.6.1 Y_2O_3含量对Si_3N_4陶瓷材料力学性能的影响 | 第35-37页 |
| 3.6.2 Y_2O_3含量对Si_3N_4陶瓷材料介电性能的影响 | 第37页 |
| 3.7 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 TiO_2对Si_3N_4-TiO_2复合材料性能的影响 | 第38-53页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 实验设计与烧结工艺 | 第38-39页 |
| 4.3 TiO_2含量对多孔Si_3N_4-TiO_2复合材料性能的影响 | 第39-48页 |
| 4.3.1 TiO_2含量对多孔Si_3N_4-TiO_2复合材料密度和气孔率的影响 | 第39-40页 |
| 4.3.2 TiO_2含量对多孔Si_3N_4-TiO_2复合材料相组成的影响 | 第40-42页 |
| 4.3.3 不同TiO_2含量的多孔Si_3N_4-TiO_2复合材料显微结构 | 第42-44页 |
| 4.3.4 TiO_2含量对多孔Si_3N_4-TiO_2复合材料力学性能的影响 | 第44-46页 |
| 4.3.5 TiO_2含量对多孔Si_3N_4-TiO_2复合材料介电性能的影响 | 第46-48页 |
| 4.4 TiO_2含量对致密Si_3N_4-TiO_2复合材料性能的影响 | 第48-52页 |
| 4.4.1 TiO_2含量对致密Si_3N_4-TiO_2复合材料密度和气孔率的影响 | 第48页 |
| 4.4.2 TiO_2含量对致密Si_3N_4-TiO_2复合材料相组成的影响 | 第48-49页 |
| 4.4.3 不同TiO_2含量的致密Si_3N_4-TiO_2复合材料显微结构 | 第49-50页 |
| 4.4.4 TiO_2含量对致密Si_3N_4-TiO_2复合材料力学性能的影响 | 第50-51页 |
| 4.4.5 TiO_2含量对致密Si_3N_4-TiO_2复合材料介电性能的影响 | 第51-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 钛酸镁对Si_3N_4-MgTiO_3/Mg_2TiO_4复合材料性能的影响 | 第53-67页 |
| 5.1 引言 | 第53页 |
| 5.2 实验设计 | 第53-54页 |
| 5.3 钛酸镁含量对Si_3N_4-MgTiO_3/Mg_2TiO_4复合材料性能的影响 | 第54-62页 |
| 5.3.1 钛酸镁含量对Si_3N_4-MgTiO_3/Mg_2TiO_4复合材料密度和气孔率影响 | 第54-55页 |
| 5.3.2 钛酸镁含量对Si_3N_4-MgTiO_3/Mg_2TiO_4复合材料相组成的影响 | 第55-57页 |
| 5.3.3 不同钛酸镁含量的Si_3N_4-MgTiO_3/Mg_2TiO_4复合材料显微结构 | 第57-59页 |
| 5.3.4 钛酸镁含量对Si_3N_4-MgTiO_3/Mg_2TiO_4复合材料力学性能的影响 | 第59-61页 |
| 5.3.5 钛酸镁含量对Si_3N_4-MgTiO_3/Mg_2TiO_4复合材料介电性能的影响 | 第61-62页 |
| 5.4 钛酸镁含量对致密Si_3N_4-MgTiO_3/Mg_2TiO_4复合材料性能的影响 | 第62-66页 |
| 5.4.1 钛酸镁含量对致密Si_3N_4-MgTiO_3/Mg_2TiO_4复合材料密度和气孔率影响 | 第62页 |
| 5.4.2 钛酸镁含量对致密Si_3N_4-MgTiO_3/Mg_2TiO_4复合材料相组成的影响 | 第62-63页 |
| 5.4.3 不同钛酸镁含量的致密Si_3N_4-MgTiO_3/Mg_2TiO_4复合材料显微结构 | 第63-65页 |
| 5.4.4 钛酸镁含量对致密Si_3N_4-MgTiO_3/Mg_2TiO_4复合材料力学性能影响 | 第65页 |
| 5.4.5 钛酸镁含量对致密Si_3N_4-MgTiO_3/Mg_2TiO_4复合材料介电性能影响 | 第65-66页 |
| 5.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间所发表的学术论文目录 | 第76页 |
