| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 ZnO的性质 | 第10-15页 |
| 1.2.1 ZnO的结构性质 | 第10-12页 |
| 1.2.2 ZnO的能带性质 | 第12-13页 |
| 1.2.3 ZnO的光学性质 | 第13-14页 |
| 1.2.4 ZnO的电学性质 | 第14-15页 |
| 1.3 ZnCdO/ZnO异质结的性质 | 第15-19页 |
| 1.4 研究现状 | 第19-20页 |
| 1.5 本文研究意义及选题内容 | 第20-22页 |
| 第二章 实验技术、表征方法及靶材制备 | 第22-31页 |
| 2.1 实验技术 | 第22-24页 |
| 2.1.1 L-MBE原理 | 第22-23页 |
| 2.1.2 L-MBE沉积系统 | 第23-24页 |
| 2.2 表征方法 | 第24-28页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第24-25页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(Scanning electron microscope, SSEM) | 第25-26页 |
| 2.2.3 反射式高能电子衍射(RHEED) | 第26页 |
| 2.2.4 紫外可见吸收光谱(UV-vis) | 第26-27页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱(XPS) | 第27-28页 |
| 2.3 靶材制备 | 第28-31页 |
| 第三章 ZnCdO薄膜的制备和性能分析 | 第31-45页 |
| 3.1 ZnCdO薄膜的制备 | 第31-33页 |
| 3.2 ZnCdO薄膜的表征 | 第33-43页 |
| 3.2.1 薄膜生长速率 | 第33-34页 |
| 3.2.2 ZnCdO薄膜结构表征 | 第34-37页 |
| 3.2.3 ZnCdO薄膜中Zn、Cd化学状态和Cd含量 | 第37-39页 |
| 3.2.4 ZnCdO薄膜的光学性质 | 第39-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 ZnCdO/ZnO异质结的制备和性能研究 | 第45-59页 |
| 4.1 异质结带阶的测试方法 | 第45-47页 |
| 4.2 ZnCdO/ZnO异质结制备 | 第47页 |
| 4.3 ZnCdO/ZnO异质结表征 | 第47-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 总结 | 第59-60页 |
| 5.2 展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 附录 | 第69页 |