| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-17页 |
| ·研究背景 | 第10页 |
| ·国内外研究进展 | 第10-15页 |
| ·硅纳米线生长研究进展 | 第11-12页 |
| ·硅纳米线掺杂研究进展 | 第12-13页 |
| ·硅纳米线装配研究进展 | 第13-15页 |
| ·硅纳米线I-V特性研究进展 | 第15页 |
| ·本文主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 金催化剂颗粒尺寸对VLS生长硅纳米线生长温度的影响 | 第17-29页 |
| ·Au纳米线颗粒尺寸对共熔温度的影响模型 | 第17-21页 |
| ·熔点与颗粒直径之间的关系模型 | 第18-20页 |
| ·临界尺寸与表面、内部原子振幅比的确定 | 第20-21页 |
| ·金颗粒尺寸与熔化温度的关系模型验证 | 第21-22页 |
| ·金催化剂纳米颗粒尺寸对金硅共熔温度的影响 | 第22-23页 |
| ·分析与讨论 | 第23-28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第三章 非平衡格林函数仿真 | 第29-53页 |
| ·非平衡格林函数理论 | 第29-44页 |
| ·一维弹道SiNWFET仿真 | 第30-31页 |
| ·三维弹道SiNWFET仿真 | 第31-36页 |
| ·仿真结果分析与讨论 | 第36-44页 |
| ·SiNW径向掺杂不均匀情况下的非平衡格林函数仿真 | 第44-52页 |
| ·掺杂浓度与费米能级关系 | 第44-45页 |
| ·掺杂浓度径向分布不均匀的仿真处理方法 | 第45-47页 |
| ·掺杂浓度径向分布对非平衡格林函数仿真的影响 | 第47-48页 |
| ·仿真结果分析与讨论 | 第48-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第四章 Spice模型建立和仿真 | 第53-61页 |
| ·Spice模型建立 | 第53-55页 |
| ·Spice仿真 | 第55-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 第五章 SiNWFET装配方法 | 第61-65页 |
| ·装配前处理工序 | 第61-62页 |
| ·硅纳米线场效应晶体管装配 | 第62-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| ·总结 | 第65页 |
| ·展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71页 |