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非挥发性存储器的物理机制和TCAD模拟

摘要第1-4页
Abstract第4-5页
目录第5-7页
第一章 非挥发性存储器绪论第7-18页
   ·非挥发存储器的背景简介第7-8页
   ·非挥发存储器的基础概念第8-12页
   ·非挥发存储器的特点第12-18页
     ·何为存储第12-16页
     ·存储机制第16页
     ·保持性能第16-17页
     ·耐受性能第17-18页
第二章 非挥发性存储器的应用第18-21页
   ·Flash与EPROM的关系第18-19页
   ·NAND型和NOR型存储器第19-21页
第三章 非挥发存储器件中的物理机制第21-44页
   ·编程和擦除的物理机制第21-30页
     ·FN隧穿第22-24页
     ·沟道热电子注入第24-26页
     ·衬底热电子注入第26-27页
     ·源端注入第27-29页
     ·二次碰撞电离诱发的沟道热电子注入第29-30页
   ·存储性能的退化机制第30-44页
     ·带带隧穿第30-32页
     ·空穴电流第32-33页
     ·界面陷阱的产生第33-35页
     ·电子陷阱的产生第35-36页
     ·氧化层电荷的捕获第36-37页
     ·应力导致的泄漏电流第37-39页
     ·陷阱产生的机制第39-41页
     ·氧化层的击穿第41-44页
第四章 非挥发存储器的TCAD模拟第44-70页
   ·关于TCAD的简介第44-45页
   ·Sentaurus中的模型第45-54页
       ·集成的操作界面第45-49页
     ·模拟模式和基本方程第49-50页
     ·常用物理模型分析第50-53页
     ·隧穿和热电子注入模型第53-54页
   ·三种非挥发存储单元的模拟第54-70页
     ·浮栅存储单元第54-59页
     ·SONOS存储单元第59-64页
     ·纳米晶存储单元第64-70页
第五章 总结第70-71页
参考文献第71-76页
攻读硕士学位期间发表论文和申请专利情况第76-77页
致谢第77-78页
附录 纳米晶模拟代码(完整版)第78-108页

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