非挥发性存储器的物理机制和TCAD模拟
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
目录 | 第5-7页 |
第一章 非挥发性存储器绪论 | 第7-18页 |
·非挥发存储器的背景简介 | 第7-8页 |
·非挥发存储器的基础概念 | 第8-12页 |
·非挥发存储器的特点 | 第12-18页 |
·何为存储 | 第12-16页 |
·存储机制 | 第16页 |
·保持性能 | 第16-17页 |
·耐受性能 | 第17-18页 |
第二章 非挥发性存储器的应用 | 第18-21页 |
·Flash与EPROM的关系 | 第18-19页 |
·NAND型和NOR型存储器 | 第19-21页 |
第三章 非挥发存储器件中的物理机制 | 第21-44页 |
·编程和擦除的物理机制 | 第21-30页 |
·FN隧穿 | 第22-24页 |
·沟道热电子注入 | 第24-26页 |
·衬底热电子注入 | 第26-27页 |
·源端注入 | 第27-29页 |
·二次碰撞电离诱发的沟道热电子注入 | 第29-30页 |
·存储性能的退化机制 | 第30-44页 |
·带带隧穿 | 第30-32页 |
·空穴电流 | 第32-33页 |
·界面陷阱的产生 | 第33-35页 |
·电子陷阱的产生 | 第35-36页 |
·氧化层电荷的捕获 | 第36-37页 |
·应力导致的泄漏电流 | 第37-39页 |
·陷阱产生的机制 | 第39-41页 |
·氧化层的击穿 | 第41-44页 |
第四章 非挥发存储器的TCAD模拟 | 第44-70页 |
·关于TCAD的简介 | 第44-45页 |
·Sentaurus中的模型 | 第45-54页 |
·集成的操作界面 | 第45-49页 |
·模拟模式和基本方程 | 第49-50页 |
·常用物理模型分析 | 第50-53页 |
·隧穿和热电子注入模型 | 第53-54页 |
·三种非挥发存储单元的模拟 | 第54-70页 |
·浮栅存储单元 | 第54-59页 |
·SONOS存储单元 | 第59-64页 |
·纳米晶存储单元 | 第64-70页 |
第五章 总结 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-76页 |
攻读硕士学位期间发表论文和申请专利情况 | 第76-77页 |
致谢 | 第77-78页 |
附录 纳米晶模拟代码(完整版) | 第78-108页 |