非挥发性存储器的物理机制和TCAD模拟

摘要	第1-4页
Abstract	第4-5页
目录	第5-7页
第一章 非挥发性存储器绪论	第7-18页
·非挥发存储器的背景简介	第7-8页
·非挥发存储器的基础概念	第8-12页
·非挥发存储器的特点	第12-18页
·何为存储	第12-16页
·存储机制	第16页
·保持性能	第16-17页
·耐受性能	第17-18页
第二章 非挥发性存储器的应用	第18-21页
·Flash与EPROM的关系	第18-19页
·NAND型和NOR型存储器	第19-21页
第三章 非挥发存储器件中的物理机制	第21-44页
·编程和擦除的物理机制	第21-30页
·FN隧穿	第22-24页
·沟道热电子注入	第24-26页
·衬底热电子注入	第26-27页
·源端注入	第27-29页
·二次碰撞电离诱发的沟道热电子注入	第29-30页
·存储性能的退化机制	第30-44页
·带带隧穿	第30-32页
·空穴电流	第32-33页
·界面陷阱的产生	第33-35页
·电子陷阱的产生	第35-36页
·氧化层电荷的捕获	第36-37页
·应力导致的泄漏电流	第37-39页
·陷阱产生的机制	第39-41页
·氧化层的击穿	第41-44页
第四章 非挥发存储器的TCAD模拟	第44-70页
·关于TCAD的简介	第44-45页
·Sentaurus中的模型	第45-54页
·集成的操作界面	第45-49页
·模拟模式和基本方程	第49-50页
·常用物理模型分析	第50-53页
·隧穿和热电子注入模型	第53-54页
·三种非挥发存储单元的模拟	第54-70页
·浮栅存储单元	第54-59页
·SONOS存储单元	第59-64页
·纳米晶存储单元	第64-70页
第五章 总结	第70-71页
参考文献	第71-76页
攻读硕士学位期间发表论文和申请专利情况	第76-77页
致谢	第77-78页
附录 纳米晶模拟代码(完整版)	第78-108页