| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 阻变存储器（RRAM）简介 | 第11-12页 |
| 1.2 RRAM的概述 | 第12-21页 |
| 1.2.1 RRAM的电极材料 | 第12-15页 |
| 1.2.1.1 常见电极 | 第13-14页 |
| 1.2.1.2 新颖电极 | 第14-15页 |
| 1.2.2 RRAM的阻变机制 | 第15-17页 |
| 1.2.2.1 ECM机制（金属阳离子电化学机制） | 第15-16页 |
| 1.2.2.2 VCM机制（氧离子价态变化机制） | 第16-17页 |
| 1.2.3 RRAM器件的集成设计 | 第17-21页 |
| 1.2.3.1 1T1R结构 | 第17-18页 |
| 1.2.3.2 自整流器件 | 第18-19页 |
| 1.2.3.3 1D1R结构 | 第19-20页 |
| 1.2.3.4 1S1R结构 | 第20-21页 |
| 1.3 本论文工作和意义 | 第21-23页 |
| 第2章 基于TiN活性电极的阻变存储器 | 第23-33页 |
| 2.1 阻变层薄膜的制备和表征 | 第23-26页 |
| 2.1.1 TiN/Hf:SiO_2/Pt通孔器件的制备流程 | 第24-25页 |
| 2.1.2 Hf:SiO_2薄膜的制备和表征 | 第25-26页 |
| 2.2 TiN/Hf:SiO_2/Pt通孔器件的阻变特性及阻变参数一致性 | 第26-28页 |
| 2.2.1 TiN/Hf:SiO_2/Pt器件的阻变特性探讨 | 第26-27页 |
| 2.2.2 TiN/Hf:SiO_2/Pt器件的阻变参数一致性 | 第27-28页 |
| 2.3 TiN/Hf:SiO_2/Pt器件的多级存储特性 | 第28-32页 |
| 2.3.1 多级存储特性的介绍 | 第28-29页 |
| 2.3.2 控制限流实现多位存储 | 第29-30页 |
| 2.3.3 控制V_(stop)电压实现多位存储 | 第30-32页 |
| 2.4 小结 | 第32-33页 |
| 第三章 基于稀土元素Gd电极的阻变存储器 | 第33-41页 |
| 3.1 稀土元素Gd阻变存储器及阻变层XPS分析 | 第33-34页 |
| 3.2 Gd/Gd:SiO_2/TiN阻变存储器性能 | 第34-35页 |
| 3.3 Forming过程对Gd/Gd:SiO_2/TiN阻变存储器性能影响 | 第35-39页 |
| 3.3.1 Forming限流对低阻态（LRS）的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.2 Forming限流对高阻态（HRS）的影响 | 第37-39页 |
| 3.4 Forming限流对SET/RESET电压的影响 | 第39页 |
| 3.5 三种Forming限流下的电流机制探讨 | 第39-40页 |
| 3.6 小结 | 第40-41页 |
| 第四章 基于氮掺杂ITO电极的阻变存储器 | 第41-50页 |
| 4.1 超临界氮化技术制备N:ITO/HfO_2/Pt器件及氮化原理 | 第41-43页 |
| 4.1.1 超临界氮化技术制备N:ITO/HfO_2/Pt器件 | 第41-42页 |
| 4.1.2 N:ITO薄膜表征及氮化原理分析 | 第42-43页 |
| 4.2 超临界氮化ITO电极提升阻变性能的研究 | 第43-47页 |
| 4.2.1 氮化前后器件的阻变特性曲线比较 | 第44-45页 |
| 4.2.2 氮化前后器件的阻变参数统计比较 | 第45-46页 |
| 4.2.3 氮化后器件可靠性分析 | 第46-47页 |
| 4.3 氮化后N:ITO/HfO_2/Pt器件阻变机理分析 | 第47-49页 |
| 4.3.1 氮化前后N:ITO/HfO_2/Pt器件电流机制分析 | 第47-48页 |
| 4.3.2 ITO电极中氧离子聚集模型的建立 | 第48-49页 |
| 4.4 小结 | 第49-50页 |
| 第五章 总结和展望 | 第50-53页 |
| 5.1 总结 | 第50-51页 |
| 5.2 工作展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-61页 |
| 附录 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
