摘要 | 第8-10页 |
Abstract | 第10-12页 |
本论文的主要创新点 | 第13-14页 |
第一章 绪论 | 第14-36页 |
1.1 石墨烯及类石墨烯超薄纳米结构简介 | 第14-23页 |
1.1.1 石墨烯的结构与光电性质 | 第14-16页 |
1.1.2 金属二硫化物的超薄结构及光电性质 | 第16-18页 |
1.1.3 黑磷、硼烯、锑烯超薄结构及光电性质 | 第18-22页 |
1.1.4 过渡金属三硫化物的超薄结构及光电性质 | 第22-23页 |
1.2 常见的超薄结构材料的制备方法 | 第23-26页 |
1.2.1 机械剥离法 | 第23页 |
1.2.2 液相剥离法 | 第23-24页 |
1.2.3 离子插层剥离法 | 第24-25页 |
1.2.4 化学气相沉积法 | 第25-26页 |
1.3 超薄结构材料的非线性光学性能研究进展 | 第26-29页 |
1.3.1 超薄金属硫化物的三阶非线性光学研究 | 第26-27页 |
1.3.2 超薄材料在被动锁模中的应用 | 第27-29页 |
1.4 本论文主要研究内容 | 第29-30页 |
参考文献 | 第30-36页 |
第二章 SnS_2超薄结构的超声合成及光电探测器的构建 | 第36-47页 |
2.1 引言 | 第36-37页 |
2.2 实验部分 | 第37-38页 |
2.2.1 SnS_2超薄结构制备与表征仪器 | 第37页 |
2.2.2 SnS_2超薄结构光电探测器的构建与测试方法 | 第37-38页 |
2.3 结果与讨论 | 第38-43页 |
2.3.1 SnS_2超薄结构材料的表征 | 第38-39页 |
2.3.2 SnS_2超薄结构材料的生长控制 | 第39-41页 |
2.3.3 光电探测器的光响应 | 第41-43页 |
2.4 本章小结 | 第43-44页 |
参考文献 | 第44-47页 |
第三章 SnX_2 (X=S,Se)超薄纳米片的非线性光学吸收 | 第47-61页 |
3.1 引言 | 第47页 |
3.2 实验部分 | 第47-49页 |
3.2.1 SnX_2 (X=S,Se)纳米片的制备过程 | 第48-49页 |
3.2.2 SnX_2 (X=S,Se)纳米片的表征仪器 | 第49页 |
3.3 结果与讨论 | 第49-58页 |
3.3.1 SnX_2 (X=S,Se)纳米片的表征 | 第49-53页 |
3.3.2 Z扫描装置及非线性光学性能测试 | 第53-58页 |
3.4 本章小结 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-61页 |
第四章 ZrS_3超薄纳米片与石墨烯分散系的非线性光吸收和非线性光折射 | 第61-76页 |
4.1 引言 | 第61-62页 |
4.2 实验部分 | 第62-63页 |
4.2.1 ZrS_3纳米片的制备 | 第62-63页 |
4.2.2 ZrS_3纳米片的表征仪器 | 第63页 |
4.3 结果与讨论 | 第63-72页 |
4.3.1 ZrS_3纳米片的表征 | 第63-66页 |
4.3.2 ZrS_3纳米片与石墨烯分散系的非线性光学响应 | 第66-72页 |
4.4 本章小结 | 第72页 |
参考文献 | 第72-76页 |
第五章 ZrSe_3超薄纳米片的非线性吸收和光限幅研究 | 第76-86页 |
5.1 引言 | 第76页 |
5.2 实验部分 | 第76-77页 |
5.2.1 ZrSe_3超薄纳米片的制备 | 第76-77页 |
5.2.2 ZrSe_3超薄纳米片的表征仪器 | 第77页 |
5.3 结果与讨论 | 第77-84页 |
5.3.1 ZrSe_3超薄纳米片的表征 | 第77-79页 |
5.3.2 ZrSe_3超薄纳米片分散系的非线性光学响应 | 第79-84页 |
5.4 本章小结 | 第84页 |
参考文献 | 第84-86页 |
附录 | 第86-88页 |
致谢 | 第88-89页 |