| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 摘要 | 第7-11页 |
| 1 Introduction and background | 第11-18页 |
| 1.1 Background | 第11-13页 |
| 1.2 Motivations | 第13-14页 |
| 1.3 Objectives | 第14-15页 |
| 1.4 Methodology | 第15-16页 |
| 1.5 Thesis arrangements | 第16-18页 |
| 2 Research progress in phase change magnetic materials | 第18-32页 |
| 2.1 Introduction | 第18页 |
| 2.2 Phase change materials (PCM) | 第18-21页 |
| 2.3 Diluted magnetic semiconductors | 第21-23页 |
| 2.4 Phase change magnetic materials | 第23-24页 |
| 2.5 Transition metal (TM) doped GeTe based PCM | 第24-32页 |
| 3 Methods of deposition and characterization for phase change magneticmaterials | 第32-43页 |
| 3.1 Introduction | 第32-33页 |
| 3.2 Deposition for Mn doped GeTe thin films | 第33-35页 |
| 3.3 Characterization techniques for Mn doped GeTe thin films | 第35-43页 |
| 4 Deposition and Compositions of Ge_(1-x)Mn_xTe thin films | 第43-54页 |
| 4.1 Introduction | 第43-44页 |
| 4.2 Substrates cleaning | 第44页 |
| 4.3 Deposition parameters and compositions of Ge_(1-x)Mn_xTe thin film | 第44-53页 |
| 4.4 Chapter summary | 第53-54页 |
| 5 Microstructure and optical properties of Ge_(1-x)Mn_xTe thin films | 第54-81页 |
| 5.1 Introduction | 第54页 |
| 5.2 Microstructural properties of Ge_(1-x)Mn_xTe thin films | 第54-73页 |
| 5.3 Optical properties of Ge_(1-x)Mn_xTe thin films | 第73-79页 |
| 5.4 Summary | 第79-81页 |
| 6 Magnetic and electrical properties of Ge_(1-x)Mn_xTe thin films | 第81-102页 |
| 6.1 Introduction | 第81-82页 |
| 6.2 Magnetic properties of Ge_(1-x)Mn_xTe thin films | 第82-93页 |
| 6.3 Electrical properties of Ge_(1-x)Mn_xTe thin films | 第93-101页 |
| 6.4 Summary | 第101-102页 |
| 7 Conclusions and future work | 第102-106页 |
| 7.1 Conclusions | 第102-105页 |
| 7.2 Future work | 第105-106页 |
| Acknowledgements | 第106-107页 |
| References | 第107-119页 |
| Publications | 第119页 |
