| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 本论文的研究背景 | 第9-13页 |
| 1.1.1 半导体量子阱结构简介 | 第9-11页 |
| 1.1.2 基于量子阱的带内跃迁和带间跃迁 | 第11页 |
| 1.1.3 量子阱子带间的干涉效应 | 第11-13页 |
| 1.2 本文研究的基础理论 | 第13-19页 |
| 1.2.1 三种基本绘景 | 第13-16页 |
| 1.2.2 旋转波近似 密度算符矩阵方程 | 第16-18页 |
| 1.2.3 密度算符与极化率的联系 | 第18-19页 |
| 1.3 本文的研究内容简介 | 第19-20页 |
| 第2章 半导体量子阱光透明现象应用的材料选择和结构设计 | 第20-28页 |
| 2.1 量子阱结构模型设计及其能级和波函数的求解过程 | 第20-23页 |
| 2.2 模型理论结果与讨论 | 第23-28页 |
| 第3章 基于半导体量子阱材料中子带跃迁的半导体光开关 | 第28-34页 |
| 3.1 理论模型及公式推导 | 第28-30页 |
| 3.2 现象与结果 | 第30-34页 |
| 第4章 量子阱子带跃迁中的电子空间定位 | 第34-45页 |
| 4.1 理论模型及方程 | 第34-36页 |
| 4.2 一维探测吸收的空间分布 | 第36-40页 |
| 4.3 二维探测吸收的空间分布 | 第40-45页 |
| 论文总结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 在学期间的科研成果 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
