摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第10-15页 |
1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
1.1.1 RFID技术的研究背景及意义 | 第10页 |
1.1.2 毫米波频段硅基在片电感的研究背景与意义 | 第10-11页 |
1.2 RFID技术及在片电感设计发展概况 | 第11-13页 |
1.2.1 RFID技术的发展和应用现状 | 第11-12页 |
1.2.2 在片电感设计发展现状 | 第12-13页 |
1.3 本文研究的主要内容 | 第13-15页 |
第二章 UHF近场读写器天线研究 | 第15-26页 |
2.1 RFID技术研究简介 | 第15-17页 |
2.1.1 RFID系统的组成及工作原理 | 第15页 |
2.1.2 RFID系统的分类 | 第15-16页 |
2.1.3 RFID系统的应用 | 第16-17页 |
2.2 天线理论基础 | 第17-21页 |
2.2.1 天线的电磁场理论 | 第17-19页 |
2.2.2 天线的场区划分 | 第19页 |
2.2.3 天线的基本参数 | 第19-21页 |
2.3 UHF RFID近场天线基本原理 | 第21-25页 |
2.3.1 磁场耦合读写器天线 | 第21-23页 |
2.3.2 电场耦合读写器天线 | 第23-24页 |
2.3.3 超高频RFID近场天线 | 第24-25页 |
2.4 本章小结 | 第25-26页 |
第三章 基于CMOS工艺的在片螺旋电感研究 | 第26-35页 |
3.1 在片电感的研究要点 | 第26-27页 |
3.1.1 基于CMOS工艺的硅基在片电感的基本概念 | 第26页 |
3.1.2 毫米波频段在片电感的研究难点 | 第26页 |
3.1.3 毫米波频段在片电感的设计和建模 | 第26-27页 |
3.2 使用CMOS工艺的在片螺旋电感简介 | 第27-30页 |
3.2.1 在片螺旋电感的结构 | 第27-29页 |
3.2.2 CMOS工艺 | 第29页 |
3.2.3 CMOS工艺在片螺旋电感模型的选择 | 第29-30页 |
3.3 在片螺旋电感的主要参数 | 第30-32页 |
3.3.1 谐振频率 | 第30页 |
3.3.2 品质因数Q | 第30-31页 |
3.3.3 电感值和电阻值 | 第31-32页 |
3.4 在片螺旋电感的损耗 | 第32页 |
3.4.1 金属损耗 | 第32页 |
3.4.2 介质损耗 | 第32页 |
3.5 在片螺旋电感的等效电路模型 | 第32-34页 |
3.5.1 分段等效电路模型 | 第32-33页 |
3.5.2 集总等效电路模型 | 第33-34页 |
3.6 本章小结 | 第34-35页 |
第四章 两款UHF频段近场读写器天线设计 | 第35-46页 |
4.1 双S形读写器天线的设计 | 第35-38页 |
4.1.1 双S形天线结构 | 第35页 |
4.1.2 双S形天线设计 | 第35-38页 |
4.2 双S形读写器天线的仿真和测量结果 | 第38-41页 |
4.2.1 S参数 | 第38-39页 |
4.2.2 远场增益 | 第39页 |
4.2.3 读写性能 | 第39-41页 |
4.3 应用于全金属货架的读写器天线的设计 | 第41-43页 |
4.3.1 弯折线天线结构 | 第41-42页 |
4.3.2 弯折线天线设 | 第42-43页 |
4.4 弯折线读写器天线的仿真和测量结果 | 第43-45页 |
4.4.1 S参数 | 第43-44页 |
4.4.2 读写性能 | 第44-45页 |
4.5 本章小结 | 第45-46页 |
第五章 在片螺旋电感设计 | 第46-64页 |
5.1 在片螺旋电感设计 | 第46-47页 |
5.1.1 仿真设置 | 第46-47页 |
5.1.2 在片螺旋电感模型 | 第47页 |
5.2 在片螺旋电感的仿真分析 | 第47-54页 |
5.2.1 在片螺旋电感的仿真结果 | 第47-49页 |
5.2.2 在片螺旋电感的参数分析 | 第49-54页 |
5.3 等效电路模型 | 第54-63页 |
5.3.1 在片螺旋电感的π模型 | 第54-58页 |
5.3.2 π模型的仿真结果 | 第58-59页 |
5.3.3 在片螺旋电感的T模型 | 第59-62页 |
5.3.4 T模型的仿真结果 | 第62-63页 |
5.4 本章小结 | 第63-64页 |
第六章 结束语 | 第64-66页 |
6.1 全文总结 | 第64页 |
6.2 未来展望 | 第64-66页 |
参考文献 | 第66-71页 |
致谢 | 第71-72页 |
攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第72页 |