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碳化硅基硅量子点薄膜的制备和性能研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第8-16页
    1.1 引言第8页
    1.2 全硅叠层太阳电池第8-9页
    1.3 硅量子点薄膜的研究现状第9-14页
        1.3.1 硅量子点薄膜的制备技术第9-11页
        1.3.2 改善硅量子点薄膜特性的方法第11-14页
        1.3.3 硅量子点在太阳电池领域里的应用第14页
    1.4 本论文的研究内容第14-16页
第二章 实验材料和设备第16-24页
    2.1 样品制备第16页
    2.2 实验耗材第16-17页
    2.3 制样设备第17-21页
    2.4 测试设备第21-24页
第三章 溅射工艺对碳化硅基硅量子点薄膜性能的研究第24-45页
    3.1 引言第24页
    3.2 不同衬底温度下碳化硅基硅量子点薄膜的制备和特性第24-35页
        3.2.1 实验方法第24-25页
        3.2.2 结果与讨论第25-35页
        3.2.3 小结第35页
    3.3 不同溅射功率下碳化硅基硅量子点薄膜的制备和特性第35-45页
        3.3.1 实验方法第35-36页
        3.3.2 结果与讨论第36-44页
        3.3.3 小结第44-45页
第四章 退火工艺对碳化硅硅量子点薄膜性能的研究第45-66页
    4.1 引言第45页
    4.2 不同退火温度下碳化硅基硅量子点薄膜的制备和特性第45-56页
        4.2.1 实验方法第45-46页
        4.2.2 结果与讨论第46-55页
        4.2.3 小结第55-56页
    4.3 不同退火方法下碳化硅基硅量子点薄膜的制备和特性第56-66页
        4.3.1 实验方法第56页
        4.3.2 结果与讨论第56-65页
        4.3.3 小结第65-66页
第五章 总结和展望第66-68页
    5.1 结论第66-67页
    5.2 创新点第67页
    5.3 展望第67-68页
参考文献第68-73页
攻读硕士期间发表的学术论文及专利第73-74页
致谢第74页

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