| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪沦 | 第9-17页 |
| 1.1 SiC材料 | 第9-10页 |
| 1.2 SiC功率器件 | 第10-14页 |
| 1.2.1 SiC肖特基势垒二极管 | 第12-13页 |
| 1.2.2 SiC MOSFET | 第13-14页 |
| 1.3 PFC电路的研究现状与发展 | 第14-15页 |
| 1.4 本文主要工作安排 | 第15-17页 |
| 第二章 功率因数校正技术 | 第17-37页 |
| 2.1 低功率因数的形成原因与功率因数定义及计算 | 第17-20页 |
| 2.1.1 低功率因数的形成原因 | 第17-18页 |
| 2.1.2 功率因数的定义及计算 | 第18-20页 |
| 2.2 功率因数校正技术 | 第20-26页 |
| 2.2.1 无源功率因数校正 | 第20-25页 |
| 2.2.2 有源功率因数校正 | 第25-26页 |
| 2.3 有源功率因数校正技术的分类 | 第26-29页 |
| 2.3.1 单级APFC与两级APFC | 第27-28页 |
| 2.3.2 按APFC主电路结构分类 | 第28-29页 |
| 2.3.3 按控制输入电流工作原理分类 | 第29页 |
| 2.4 Boost型有源功率因数校正电路 | 第29-35页 |
| 2.4.1 工作于CRM工作模式的有源功率因数校正电路 | 第32-33页 |
| 2.4.2 工作于DCM工作模式的有源功率因数校正电路 | 第33-34页 |
| 2.4.3 工作于CCM工作模式的有源功率因数校正电路 | 第34-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 SiC功率器件特性及PFC电路损耗计算 | 第37-51页 |
| 3.1 SiC肖特基二极管的特性 | 第37-41页 |
| 3.1.1 SiC SBD的导通特性 | 第37-39页 |
| 3.1.2 SiC SBD的阻断特性 | 第39-40页 |
| 3.1.3 SiC SBD的反向恢复特性 | 第40-41页 |
| 3.2 SiC MOSFET特性 | 第41-46页 |
| 3.2.1 SiC MOSFET的导通特性 | 第41-44页 |
| 3.2.2 SiC MOSFET的阻断特性 | 第44页 |
| 3.2.3 SiC MOSFET的开关特性 | 第44-46页 |
| 3.2.4 SiC MOSFET的驱动特性 | 第46页 |
| 3.3 电感电流连续模式APFC电路开关损耗计算 | 第46-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 APFC电路设计及样机的制作与测试 | 第51-69页 |
| 4.1 APFC电路设计 | 第51-57页 |
| 4.1.1 关键元器件 | 第51-56页 |
| 4.1.2 EMI设计方案 | 第56-57页 |
| 4.1.3 输入整流桥的选择 | 第57页 |
| 4.2 APFC电路的主要参数设计 | 第57-60页 |
| 4.3 样机的制作 | 第60-62页 |
| 4.4 各项测试与分析 | 第62-67页 |
| 4.4.1 功率因数校正测试结果与分析 | 第62-64页 |
| 4.4.2. 主要测试波形及分析 | 第64-65页 |
| 4.4.3 器件功率损耗及输出功率分析 | 第65-66页 |
| 4.4.4 测试数据与分析 | 第66-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 双脉冲测试电路 | 第69-75页 |
| 5.1 SiC SBD开关特性测试 | 第70-71页 |
| 5.2 SiC MOSFET开关特性测试 | 第71-72页 |
| 5.3 本章小结 | 第72-75页 |
| 第六章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
