| 摘要 | 第11-12页 |
| Abstract | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| 1.1 石墨烯的结构 | 第14-15页 |
| 1.2 石墨烯的性质 | 第15-17页 |
| 1.2.1 石墨烯的电学性能 | 第15-16页 |
| 1.2.2 石墨烯的机械性能 | 第16页 |
| 1.2.3 石墨烯的光学性能 | 第16页 |
| 1.2.4 石墨烯的热性能 | 第16-17页 |
| 1.2.5 石墨烯的其他性能 | 第17页 |
| 1.3 石墨烯的制备方法及生长机制 | 第17-18页 |
| 1.3.1 机械剥离法 | 第17页 |
| 1.3.2 外延生长法 | 第17页 |
| 1.3.3 化学气相沉积法 | 第17-18页 |
| 1.3.4 其他制备方法 | 第18页 |
| 1.4 氮化硼的结构与性质 | 第18-22页 |
| 1.4.1 氮化硼的结构 | 第18-19页 |
| 1.4.2 氮化硼的性质 | 第19页 |
| 1.4.3 氮化硼薄膜常见制备方式 | 第19-22页 |
| 1.5 氮化硼/石墨烯薄膜的研究现状 | 第22-23页 |
| 1.6 选题意义及研究内容 | 第23-26页 |
| 第二章 实验方案及研究方法 | 第26-35页 |
| 2.1 技术路线及研究方案 | 第26-27页 |
| 2.2 本课题使用原材料 | 第27页 |
| 2.2.1 磁控溅射靶材 | 第27页 |
| 2.2.2 基底材料 | 第27页 |
| 2.2.3 其他实验材料 | 第27页 |
| 2.3 磁控溅射制备氮化硼薄膜 | 第27-29页 |
| 2.4 氮化硼/石墨烯复合薄膜的制备 | 第29-32页 |
| 2.5 氮化硼薄膜和氮化硼/石墨烯复合薄膜的组织结构及性能表征 | 第32-35页 |
| 2.5.1 薄膜表面形貌表征 | 第32-33页 |
| 2.5.2 薄膜化学成分表征 | 第33页 |
| 2.5.3 薄膜分子结构表征 | 第33页 |
| 2.5.4 薄膜电学性能表征 | 第33-34页 |
| 2.5.5 薄膜光学性能表征 | 第34-35页 |
| 第三章 氮化硼薄膜的生长研究 | 第35-61页 |
| 3.1 基底温度对氮化硼薄膜生长的影响 | 第35-42页 |
| 3.1.1 基底温度对氮化硼薄膜表面形貌的影响 | 第36-39页 |
| 3.1.2 基底温度对氮化硼薄膜透光率的影响 | 第39-41页 |
| 3.1.3 基底温度对氮化硼薄膜分子结构的影响 | 第41-42页 |
| 3.2 溅射功率对氮化硼薄膜生长的影响 | 第42-49页 |
| 3.2.1 溅射功率对氮化硼薄膜表面形貌的影响 | 第42-45页 |
| 3.2.2 溅射功率对氮化硼薄膜透光率分析 | 第45-46页 |
| 3.2.3 溅射功率对氮化硼薄膜分子结构的影响 | 第46-47页 |
| 3.2.4 溅射功率对氮化硼薄膜化学成分的影响 | 第47-49页 |
| 3.3 溅射时间对氮化硼薄膜的生长影响 | 第49-56页 |
| 3.3.1 溅射时间对氮化硼薄膜表面形貌的影响 | 第49-54页 |
| 3.3.2 溅射时间与氮化硼薄膜厚度的关系 | 第54页 |
| 3.3.3 溅射时间对氮化硼薄膜透光率的影响 | 第54-56页 |
| 3.4 退火温度对氮化硼薄膜生长的影响 | 第56-59页 |
| 3.4.1 退火温度对氮化硼薄膜表面形貌的影响 | 第56-59页 |
| 3.4.2 退火温度对氮化硼薄膜分子结构的影响 | 第59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 氮化硼/石墨烯复合薄膜的生长研究 | 第61-78页 |
| 4.1 生长温度对氮化硼/石墨烯复合薄膜生长的影响 | 第61-63页 |
| 4.2 沉积时间对氮化硼/石墨烯复合薄膜的影响 | 第63-64页 |
| 4.3 降温速度对氮化硼/石墨烯复合薄膜的影响 | 第64-66页 |
| 4.4 衬底薄膜对氮化硼/石墨烯复合薄膜的影响 | 第66-70页 |
| 4.4.1 衬底氮化硼薄膜厚度对石墨烯生长的影响 | 第66-68页 |
| 4.4.2 氮化硼薄膜溅射功率不同对石墨烯生长的影响 | 第68-70页 |
| 4.5 氮化硼/石墨烯复合薄膜的表征 | 第70-75页 |
| 4.6 本章小结 | 第75-78页 |
| 第五章 结论 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 附录 | 第90-91页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第91页 |
