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基于CVD法制备碳纳米管阵列及其性能研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第1章 绪论第9-15页
    1.1 课题背景第9页
    1.2 碳纳米管的结构第9-10页
        1.2.1 碳纳米管分类第9页
        1.2.2 碳纳米管性能第9-10页
    1.3 碳纳米管阵列的制备方法第10-13页
    1.4 碳纳米管阵列国内外的研究现状第13-14页
    1.5 课题研究意义和主要内容第14-15页
第2章 实验方法及原理第15-23页
    2.1 实验材料及设备第15-16页
        2.1.1 实验材料第15页
        2.1.2 实验设备第15-16页
    2.2 CVD 制备定向碳纳米管阵列原理第16-18页
    2.3 实验方法第18-21页
        2.3.1 石英基底清洗第18页
        2.3.2 图案化基底制作第18-20页
        2.3.3 碳纳米管阵列制备第20-21页
    2.4 碳纳米管阵列表征和性能测试第21-23页
        2.4.1 碳纳米管阵列表征第21-22页
        2.4.2 碳纳米管阵列性能测试第22-23页
第3章 碳纳米管阵列的可控制备及应用第23-45页
    3.1 引言第23页
    3.2 不同因素对碳纳米管阵列生长的影响第23-37页
        3.2.1 生长温度第23-26页
        3.2.2 氩气流量第26-29页
        3.2.3 催化剂前驱体溶液浓度第29-33页
        3.2.4 催化剂前驱体溶液滴速第33-35页
        3.2.5 生长时间第35-37页
    3.3 石英基底上碳纳米管阵列生长机制分析第37-40页
    3.4 碳纳米管阵列的应用探索第40-45页
        3.4.1 力学性能测试第40-42页
        3.4.2 导电性能测试第42-44页
        3.4.3 吸收性能测试第44-45页
第4章 图案化基底上碳纳米管阵列生长研究第45-55页
    4.1 Al/Si 图案化基底上制备碳纳米管阵列第45-49页
        4.1.1 生长温度第45-47页
        4.1.2 氩气流量第47-48页
        4.1.3 催化剂前驱体溶液滴速第48-49页
    4.2 Au/Si 图案化基底上制备碳纳米管阵列第49-55页
        4.2.1 生长温度第49-50页
        4.2.2 氩气流量第50-51页
        4.2.3 催化剂前驱体溶液浓度第51页
        4.2.4 催化剂前驱体溶液滴速第51-53页
        4.2.5 Au/Si 基底上碳纳米管阵列生长机制分析第53-55页
结论第55-56页
参考文献第56-61页
致谢第61页

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