Cu-(Ti,Cr,Zr)-N薄膜的制备与表征
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 纯铜的主要性能特点及应用 | 第9-12页 |
| 1.1.1 纯铜的优良性能及其应用领域 | 第9-10页 |
| 1.1.2 铜在应用中存在的问题 | 第10页 |
| 1.1.3 常见的铜强化方法 | 第10-12页 |
| 1.2 Cu的表面强化 | 第12-16页 |
| 1.2.1 铜的表面强化的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 铜的渗氮思想的提出 | 第13-14页 |
| 1.2.3 渗氮技术不能应用于铜的原因 | 第14-16页 |
| 1.3 合金元素的选择 | 第16-22页 |
| 1.3.1 Cu-Ti-N系统 | 第17-18页 |
| 1.3.2 Cu-Cr-N系统 | 第18-20页 |
| 1.3.3 Cu-Zr-N系统 | 第20-22页 |
| 1.4 本课题的意义及主要内容 | 第22-24页 |
| 2 薄膜制备工艺及分析方法 | 第24-32页 |
| 2.1 薄膜制备方法及设备 | 第24-26页 |
| 2.1.1 Cu(M,N)合金薄膜靶材的制备方法 | 第24-25页 |
| 2.1.2 Cu(M,N)合金薄膜的制备工艺 | 第25页 |
| 2.1.3 磁控溅射设备及原理 | 第25-26页 |
| 2.2 薄膜分析方法 | 第26-32页 |
| 2.2.1 薄膜成分分析方法 | 第26-28页 |
| 2.2.2 薄膜微结构分析方法 | 第28-30页 |
| 2.2.3 薄膜的电学性能分析 | 第30页 |
| 2.2.4 薄膜的硬度分析 | 第30-32页 |
| 3 Cu(Ti,N)合金薄膜的成分及性能分析 | 第32-58页 |
| 3.1 薄膜成分分析 | 第32-40页 |
| 3.1.1 EPMA分析结果 | 第32-34页 |
| 3.1.2 AES分析结果 | 第34-36页 |
| 3.1.3 XPS分析结果 | 第36-40页 |
| 3.2 X射线衍射分析(XRD)结果 | 第40-46页 |
| 3.3 薄膜电阻率分析结果 | 第46-47页 |
| 3.4 薄膜硬度分析结果 | 第47-50页 |
| 3.5 薄膜透射电镜(TEM)分析结果 | 第50-57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 4 Cu(Cr,N)合金薄膜的成分及性能分析 | 第58-70页 |
| 4.1 薄膜成分分析 | 第58-62页 |
| 4.1.1 EPMA分析结果 | 第58-59页 |
| 4.1.2 AES分析结果 | 第59页 |
| 4.1.3 XPS分析结果 | 第59-62页 |
| 4.2 XRD分析结果 | 第62-64页 |
| 4.3 薄膜电阻率分析结果 | 第64-65页 |
| 4.4 薄膜硬度分析结果 | 第65-67页 |
| 4.5 TEM分析结果 | 第67-68页 |
| 4.6 本章小结 | 第68-70页 |
| 5 Cu(Zr,N)合金薄膜的成分及性能分析 | 第70-81页 |
| 5.1 薄膜成分分析 | 第70-75页 |
| 5.1.1 EPMA分析结果 | 第70-71页 |
| 5.1.2 AES分析结果 | 第71页 |
| 5.1.3 XPS分析结果 | 第71-75页 |
| 5.2 XRD分析结果 | 第75-77页 |
| 5.3 薄膜电阻率分析结果 | 第77-78页 |
| 5.4 薄膜硬度分析结果 | 第78-79页 |
| 5.5 TEM分析结果 | 第79-80页 |
| 5.6 本章小结 | 第80-81页 |
| 6 对比与讨论 | 第81-82页 |
| 结论 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-89页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
