GaN纳米线可控掺杂与表面功能化研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 概述 | 第9-10页 |
| 1.2 氮化镓半导体材料 | 第10-14页 |
| 1.2.1. 氮化镓物理性质 | 第10-12页 |
| 1.2.2. 氮化镓的应用 | 第12-14页 |
| 1.3 氮化镓纳米结构 | 第14-17页 |
| 1.4 重金属离子检测 | 第17-19页 |
| 1.5 研究内容与目的 | 第19-20页 |
| 2 实验材料与实验方法 | 第20-24页 |
| 2.1 实验试剂 | 第20页 |
| 2.2 实验过程 | 第20-21页 |
| 2.3 实验设备 | 第21-22页 |
| 2.4 性能评价手段 | 第22-24页 |
| 3 GaN纳米线制备 | 第24-42页 |
| 3.1 在硅衬底上生长纳米线 | 第24-33页 |
| 3.1.1 流量对GaN纳米线的影响 | 第24-26页 |
| 3.1.2 温度对GaN纳米线的影响 | 第26-29页 |
| 3.1.3 衬底位置对GaN纳米线的影响 | 第29-33页 |
| 3.2 石墨衬底上生长GaN纳米线 | 第33-40页 |
| 3.2.1 结构与形貌 | 第34-39页 |
| 3.2.2 发光性能 | 第39-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-42页 |
| 4 掺杂GaN纳米线制备 | 第42-47页 |
| 4.1 实验部分 | 第42页 |
| 4.2 结构与形貌 | 第42-45页 |
| 4.3 元素分布 | 第45-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 5 GaN表面功能化 | 第47-53页 |
| 5.1 表面润湿性 | 第47-49页 |
| 5.2 重离子检测 | 第49-52页 |
| 5.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-61页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
