| ABSTRACT | 第4-5页 |
| Table of Contents | 第6-8页 |
| Chapter 1:Graphene Synthesis Methods | 第8-14页 |
| 1.1. Introduction | 第8-9页 |
| 1.2. Graphene Applications | 第9-10页 |
| 1.3. Graphene Production Methods | 第10-14页 |
| 1.3.1. Mechanical Exfoliation | 第10-11页 |
| 1.3.2. Epitaxial Growth on Silicon Carbide | 第11页 |
| 1.3.3. Chemical Route | 第11-12页 |
| 1.3.4. Chemical Vapor Deposition Graphene | 第12-14页 |
| Chapter 2:Background on Graphene Transfer Techniques | 第14-22页 |
| 2.1. Introduction | 第14页 |
| 2.2. Direct Growth of CVD Graphene on Insulating Substrate | 第14-15页 |
| 2.3. Problems in Traditional Transfer Process | 第15-17页 |
| 2.4. Polymer Free Transfer Process | 第17-19页 |
| 2.5. Graphene Transfer Using Buffer Layer | 第19-22页 |
| Chapter3:Modified Graphene Transfer Method | 第22-32页 |
| 3.1. Introduction | 第22页 |
| 3.2. Experimental Method | 第22-26页 |
| 3.2.1. CVD Growth of Graphene | 第22-24页 |
| 3.2.2. Modified Graphene Transfer Process | 第24-25页 |
| 3.2.3. Characterizations | 第25-26页 |
| 3.3. Results and Discussion | 第26-31页 |
| 3.4. Summary | 第31-32页 |
| Chapter 4:Graphene FET | 第32-37页 |
| 4.1. Introduction | 第32页 |
| 4.2. Steps for GFET Fabrication | 第32-35页 |
| 4.3. Device Characterization | 第35-36页 |
| 4.4. Summary | 第36-37页 |
| Chapter 5:Ab initio Study of Electronic and Optical Behavior of Two-Dimensional SiliconCarbide | 第37-47页 |
| 5.1. Introduction | 第37-38页 |
| 5.2. Calculation Methods | 第38-39页 |
| 5.3. Results and Discussions | 第39-45页 |
| 5.4. Summary | 第45-47页 |
| Chapter 6:Ab initio Optical Study of Graphene on Hexagonal Boron Nitride andFluorographene Substrates | 第47-61页 |
| 6.1. Introduction | 第47-49页 |
| 6.2. Calculation Methods | 第49-51页 |
| 6.3. Results and Discussions | 第51-59页 |
| 6.4. Conclusion | 第59-61页 |
| References | 第61-70页 |
| Research Papers | 第70页 |
