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自支撑多孔硅及其复合材料的制备与性能研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第13-25页
    1.1 多孔硅概述第13-21页
        1.1.1 多孔硅制备方法概述第14-17页
        1.1.2 多孔硅的形成机理第17-18页
        1.1.3 多孔硅的应用第18-21页
    1.2 超级电容器概述第21-23页
        1.2.1 双电层电容第21-22页
        1.2.2 法拉第准电容第22-23页
        1.2.3 混合型超级电容器第23页
    1.3 课题研究内容及目标第23-25页
        1.3.1 课题研究内容第23-24页
        1.3.2 课题研究目标第24-25页
第二章 材料制备、结构和性能表征技术第25-35页
    2.1 主要实验设备及原料第25-26页
        2.1.1 主要实验设备第25页
        2.1.2 主要实验原料第25-26页
    2.2 制备方法第26-29页
        2.2.1 硅片清洗第26页
        2.2.2 阳极氧化法制备多孔硅第26-28页
        2.2.3 水热法制备纳米颗粒第28-29页
        2.2.4 磁控溅射生长电极第29页
    2.3 性能表征仪器及方法第29-30页
    2.4 分析仪器及方法第30-35页
        2.4.1 X射线衍射仪第30页
        2.4.2 扫描电子显微镜第30-31页
        2.4.3 紫外可见分光光度仪第31-32页
        2.4.4 光致发光测量仪第32-33页
        2.4.5 电化学测试仪第33-35页
第三章 多孔硅的制备与性能研究第35-44页
    3.1 引言第35-36页
    3.2 多孔硅的制备第36页
    3.3 多孔硅基本性能研究第36-43页
        3.3.1 多孔硅的表面和截面形貌分析第36-37页
        3.3.2 多孔硅腐蚀厚度和孔隙率的分析与研究第37-43页
    3.4 本章小结第43-44页
第四章 自支撑多孔硅的制备与性能研究第44-62页
    4.1 引言第44页
    4.2 自支撑多孔硅的制备第44-46页
    4.3 自支撑多孔硅的基本性质第46-54页
        4.3.1 自支撑多孔硅的孔隙率和厚度计算第47页
        4.3.2 腐蚀电流密度对自支撑多孔硅孔隙率和腐蚀厚度的影响的研究第47-51页
        4.3.3 腐蚀时间对自支撑多孔硅孔隙率和腐蚀厚度的影响的研究第51-54页
    4.4 自支撑多孔硅的电学性能第54-55页
    4.5 CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅的制备与性能研究第55-60页
        4.5.1 CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅的制备第56-57页
        4.5.2 CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅的性能研究第57-60页
    4.6 本章小结第60-62页
第五章 基于自支撑多孔硅的超级电容器第62-70页
    5.1 引言第62页
    5.2 自支撑多孔硅/Zn O复合材料的制备第62-64页
        5.2.1 自支撑多孔硅的制备第62-63页
        5.2.2 ZnO纳米颗粒的制备第63-64页
    5.3 自支撑多孔硅/Zn O复合材料性能研究第64-69页
        5.3.1 自支撑多孔硅/ZnO复合材料表面形貌及截面形貌第64-65页
        5.3.2 自支撑多孔硅/Zn O复合材料的光致发光谱分析第65-66页
        5.3.3 基于自支撑多孔硅/ZnO复合材料的超级电容器特性第66-69页
    5.4 本章小结第69-70页
第六章 结论与展望第70-72页
    6.1 结论第70-71页
    6.2 展望第71-72页
参考文献第72-79页
致谢第79-80页
在学期间的研究成果及发表的学术论文第80页

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