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新型氧化物薄膜晶体管材料及工艺研究

摘要第3-5页
Abstract第5-7页
第一章 绪论第12-43页
    1.1 引言第12-16页
        1.1.1 什么是TFT?第12-13页
        1.1.2 TFT的应用第13-14页
        1.1.3 氧化物TFT与硅基TFT第14-16页
    1.2 氧化物TFT的发展史第16-18页
    1.3 氧化物TFT的工作原理及关键性能参数第18-22页
        1.3.1 氧化物TFT的工作原理第18-20页
        1.3.2 氧化物TFT的性能表征第20-22页
    1.4 氧化物TFT的研究进展第22-30页
        1.4.1 InGaZnO-TFT的研究进展第22-25页
        1.4.2 InZnO-TFT的研究进展第25-26页
        1.4.3 溶液法制备氧化物TFT的研究进展第26-28页
        1.4.4 High-k材料在氧化物TFT中的应用第28-30页
    1.5 本课题研究意义及内容第30-33页
        1.5.1 本课题研究意义第30-31页
        1.5.2 本课题研究内容第31-33页
    参考文献第33-43页
第二章 非晶氧化物薄膜晶体管的制备与表征第43-59页
    2.1 薄膜晶体管各层的制备方法及原理第43-49页
        2.1.1 直流反应磁控溅射沉积第43-45页
        2.1.2 溶胶凝胶法第45-48页
        2.1.3 真空热蒸发第48-49页
    2.2 薄膜及器件表征方法第49-57页
        2.2.1 薄膜厚度测试第49-50页
        2.2.2 薄膜结构、形貌、组分分析第50-53页
        2.2.3 薄膜的光学分析第53-55页
        2.2.4 热重差热分析第55页
        2.2.5 薄膜的介电性能测试第55-56页
        2.2.6 薄膜晶体管的电学性能测试第56-57页
    参考文献第57-59页
第三章 掺钨氧化铟薄膜晶体管的研究第59-80页
    3.1 引言第59页
    3.2 IWO薄膜的制备第59-60页
    3.3 IWO薄膜的性能分析第60-63页
        3.3.1 IWO薄膜的结晶性、表面形貌及成分分析第60-62页
        3.3.3 IWO薄膜的光学特性第62-63页
    3.4 以IWO薄膜作为沟道层的TFT第63-68页
        3.4.1 IWO-TFT的制备第63-64页
        3.4.2 IWO-TFT电学性能分析第64-68页
    3.5 大气退火对IWO薄膜及TFT性能的影响第68-75页
        3.5.1 退火对IWO薄膜物理性质的影响第68-69页
        3.5.2 退火对IWO-TFT性能的影响第69-75页
    3.6 本章小结第75-77页
    参考文献第77-80页
第四章 溶液法制备IGZO薄膜的等离子体处理研究第80-101页
    4.1 引言第80页
    4.2 IGZO薄膜的制备第80-81页
    4.3 IGZO薄膜的性能分析第81-85页
        4.3.1 IGZO薄膜的结晶性、表面形貌及成分分析第81-84页
        4.3.2 IGZO薄膜的光学特性第84-85页
    4.4 制备以IGZO薄膜作为沟道层的TFT第85-96页
        4.4.1 IGZO-TFT的制备第85-86页
        4.4.2 IGZO-TFT电学性能分析第86-88页
        4.4.3 氧等离子体处理对IGZO薄膜及IGZO-TFT性能的影响第88-96页
    4.5 本章小结第96-98页
    参考文献第98-101页
第五章 溶液法制备IGZO薄膜的红外退火工艺研究第101-117页
    5.1 引言第101页
    5.2 IGZO前驱体的热重-差热分析(TG-DTA)第101-103页
    5.3 IGZO薄膜的制备第103页
        5.3.1 红外处理薄膜的升温曲线第103页
    5.4 IGZO薄膜的分析第103-105页
        5.4.1 IGZO薄膜的光学透射率第103-104页
        5.4.2 IGZO薄膜的傅里叶变换红外谱分析第104-105页
    5.5 IGZO薄膜的性能分析第105-110页
        5.5.1 IGZO薄膜的结晶性、表面形貌及成分分析第105-110页
    5.6 以红外退火的IGZO薄膜作为沟道层的TFT第110-113页
        5.6.1 IGZO-TFT的制备第110-111页
        5.6.2 IGZO-TFT电学性能分析第111-113页
    5.7 本章小结第113-114页
    参考文献第114-117页
第六章 溶液法制备TAO high-k薄膜第117-136页
    6.1 引言第117页
    6.2 TAO薄膜的制备第117-118页
    6.3 TAO薄膜的性能分析第118-128页
        6.3.1 TAO薄膜的光学特性第118-121页
        6.3.2 TAO薄膜的结构、形貌及组分分析第121-123页
        6.3.3 TAO薄膜的电学特性第123-128页
    6.4 以TAO薄膜作为栅介质层的TFT第128-130页
        6.4.1 TFT的制备第128-129页
        6.4.2 IZO-TFT电学性能分析第129-130页
    6.5 本章小结第130-132页
    参考文献第132-136页
第七章 溶液法制备MTO high-k薄膜第136-146页
    7.1 引言第136页
    7.2 MTO薄膜的制备第136-137页
    7.3 MTO薄膜的性能分析第137-141页
        7.3.1 MTO薄膜的结构、组分分析第137-138页
        7.3.2 MTO薄膜的光学特性第138-140页
        7.3.3 MTO薄膜的电学特性第140-141页
    7.4 以MTO薄膜作为栅介质层的TFT第141-144页
        7.4.1 TFT的制备第141-142页
        7.4.2 IZO-TFT电学性能分析第142-144页
    7.5 本章小结第144-145页
    参考文献第145-146页
第八章 全文总结与展望第146-149页
    8.1 全文总结第146-148页
    8.2 展望第148-149页
附录 攻读博士学位期间的科研成果第149-151页
    期刊论文第149-150页
    会议论文第150页
    申请专利第150-151页
致谢第151-153页

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