| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-43页 |
| 1.1 引言 | 第12-16页 |
| 1.1.1 什么是TFT? | 第12-13页 |
| 1.1.2 TFT的应用 | 第13-14页 |
| 1.1.3 氧化物TFT与硅基TFT | 第14-16页 |
| 1.2 氧化物TFT的发展史 | 第16-18页 |
| 1.3 氧化物TFT的工作原理及关键性能参数 | 第18-22页 |
| 1.3.1 氧化物TFT的工作原理 | 第18-20页 |
| 1.3.2 氧化物TFT的性能表征 | 第20-22页 |
| 1.4 氧化物TFT的研究进展 | 第22-30页 |
| 1.4.1 InGaZnO-TFT的研究进展 | 第22-25页 |
| 1.4.2 InZnO-TFT的研究进展 | 第25-26页 |
| 1.4.3 溶液法制备氧化物TFT的研究进展 | 第26-28页 |
| 1.4.4 High-k材料在氧化物TFT中的应用 | 第28-30页 |
| 1.5 本课题研究意义及内容 | 第30-33页 |
| 1.5.1 本课题研究意义 | 第30-31页 |
| 1.5.2 本课题研究内容 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-43页 |
| 第二章 非晶氧化物薄膜晶体管的制备与表征 | 第43-59页 |
| 2.1 薄膜晶体管各层的制备方法及原理 | 第43-49页 |
| 2.1.1 直流反应磁控溅射沉积 | 第43-45页 |
| 2.1.2 溶胶凝胶法 | 第45-48页 |
| 2.1.3 真空热蒸发 | 第48-49页 |
| 2.2 薄膜及器件表征方法 | 第49-57页 |
| 2.2.1 薄膜厚度测试 | 第49-50页 |
| 2.2.2 薄膜结构、形貌、组分分析 | 第50-53页 |
| 2.2.3 薄膜的光学分析 | 第53-55页 |
| 2.2.4 热重差热分析 | 第55页 |
| 2.2.5 薄膜的介电性能测试 | 第55-56页 |
| 2.2.6 薄膜晶体管的电学性能测试 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第三章 掺钨氧化铟薄膜晶体管的研究 | 第59-80页 |
| 3.1 引言 | 第59页 |
| 3.2 IWO薄膜的制备 | 第59-60页 |
| 3.3 IWO薄膜的性能分析 | 第60-63页 |
| 3.3.1 IWO薄膜的结晶性、表面形貌及成分分析 | 第60-62页 |
| 3.3.3 IWO薄膜的光学特性 | 第62-63页 |
| 3.4 以IWO薄膜作为沟道层的TFT | 第63-68页 |
| 3.4.1 IWO-TFT的制备 | 第63-64页 |
| 3.4.2 IWO-TFT电学性能分析 | 第64-68页 |
| 3.5 大气退火对IWO薄膜及TFT性能的影响 | 第68-75页 |
| 3.5.1 退火对IWO薄膜物理性质的影响 | 第68-69页 |
| 3.5.2 退火对IWO-TFT性能的影响 | 第69-75页 |
| 3.6 本章小结 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 第四章 溶液法制备IGZO薄膜的等离子体处理研究 | 第80-101页 |
| 4.1 引言 | 第80页 |
| 4.2 IGZO薄膜的制备 | 第80-81页 |
| 4.3 IGZO薄膜的性能分析 | 第81-85页 |
| 4.3.1 IGZO薄膜的结晶性、表面形貌及成分分析 | 第81-84页 |
| 4.3.2 IGZO薄膜的光学特性 | 第84-85页 |
| 4.4 制备以IGZO薄膜作为沟道层的TFT | 第85-96页 |
| 4.4.1 IGZO-TFT的制备 | 第85-86页 |
| 4.4.2 IGZO-TFT电学性能分析 | 第86-88页 |
| 4.4.3 氧等离子体处理对IGZO薄膜及IGZO-TFT性能的影响 | 第88-96页 |
| 4.5 本章小结 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-101页 |
| 第五章 溶液法制备IGZO薄膜的红外退火工艺研究 | 第101-117页 |
| 5.1 引言 | 第101页 |
| 5.2 IGZO前驱体的热重-差热分析(TG-DTA) | 第101-103页 |
| 5.3 IGZO薄膜的制备 | 第103页 |
| 5.3.1 红外处理薄膜的升温曲线 | 第103页 |
| 5.4 IGZO薄膜的分析 | 第103-105页 |
| 5.4.1 IGZO薄膜的光学透射率 | 第103-104页 |
| 5.4.2 IGZO薄膜的傅里叶变换红外谱分析 | 第104-105页 |
| 5.5 IGZO薄膜的性能分析 | 第105-110页 |
| 5.5.1 IGZO薄膜的结晶性、表面形貌及成分分析 | 第105-110页 |
| 5.6 以红外退火的IGZO薄膜作为沟道层的TFT | 第110-113页 |
| 5.6.1 IGZO-TFT的制备 | 第110-111页 |
| 5.6.2 IGZO-TFT电学性能分析 | 第111-113页 |
| 5.7 本章小结 | 第113-114页 |
| 参考文献 | 第114-117页 |
| 第六章 溶液法制备TAO high-k薄膜 | 第117-136页 |
| 6.1 引言 | 第117页 |
| 6.2 TAO薄膜的制备 | 第117-118页 |
| 6.3 TAO薄膜的性能分析 | 第118-128页 |
| 6.3.1 TAO薄膜的光学特性 | 第118-121页 |
| 6.3.2 TAO薄膜的结构、形貌及组分分析 | 第121-123页 |
| 6.3.3 TAO薄膜的电学特性 | 第123-128页 |
| 6.4 以TAO薄膜作为栅介质层的TFT | 第128-130页 |
| 6.4.1 TFT的制备 | 第128-129页 |
| 6.4.2 IZO-TFT电学性能分析 | 第129-130页 |
| 6.5 本章小结 | 第130-132页 |
| 参考文献 | 第132-136页 |
| 第七章 溶液法制备MTO high-k薄膜 | 第136-146页 |
| 7.1 引言 | 第136页 |
| 7.2 MTO薄膜的制备 | 第136-137页 |
| 7.3 MTO薄膜的性能分析 | 第137-141页 |
| 7.3.1 MTO薄膜的结构、组分分析 | 第137-138页 |
| 7.3.2 MTO薄膜的光学特性 | 第138-140页 |
| 7.3.3 MTO薄膜的电学特性 | 第140-141页 |
| 7.4 以MTO薄膜作为栅介质层的TFT | 第141-144页 |
| 7.4.1 TFT的制备 | 第141-142页 |
| 7.4.2 IZO-TFT电学性能分析 | 第142-144页 |
| 7.5 本章小结 | 第144-145页 |
| 参考文献 | 第145-146页 |
| 第八章 全文总结与展望 | 第146-149页 |
| 8.1 全文总结 | 第146-148页 |
| 8.2 展望 | 第148-149页 |
| 附录 攻读博士学位期间的科研成果 | 第149-151页 |
| 期刊论文 | 第149-150页 |
| 会议论文 | 第150页 |
| 申请专利 | 第150-151页 |
| 致谢 | 第151-153页 |
