| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-38页 |
| 1.1 半导体技术的发展和闪存存储技术 | 第8-11页 |
| 1.2 新型非易失型存储器概述 | 第11-16页 |
| 1.2.1 相变存储器(PCRAM) | 第11-13页 |
| 1.2.2 磁阻式存储器(MRAM) | 第13-14页 |
| 1.2.3 铁电随机存储器(FeRAM) | 第14-16页 |
| 1.3 阻变式存取存储器(RRAM) | 第16-26页 |
| 1.3.1 阻变式存储技术的基本结构及材料体系 | 第16-18页 |
| 1.3.2 阻变式存储器的工作方式 | 第18-20页 |
| 1.3.3 阻变存储器电阻开关机理 | 第20-26页 |
| 1.4 RRAM的集成前景和研究进展 | 第26-29页 |
| 1.4.1 3D存储阵列 | 第26-28页 |
| 1.4.2 新型一维纳米尺寸阻变存储器件 | 第28页 |
| 1.4.3 柔性阻变存储 | 第28-29页 |
| 1.5 本论文的选题意义及研究内容 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-38页 |
| 第二章 氮化铜(Cu_xN)基阻变存储材料的制备与表征 | 第38-77页 |
| 2.1 引言 | 第38页 |
| 2.2 氮化铜研究现状概述 | 第38-40页 |
| 2.3 制备技术简介 | 第40-43页 |
| 2.3.1 PⅢ设备原理简介 | 第40-42页 |
| 2.3.2 磁控溅射工作原理及设备简介 | 第42-43页 |
| 2.4 PⅢ样品制备 | 第43-48页 |
| 2.4.1 制备过程 | 第43-44页 |
| 2.4.2 氮气等离子体光谱观测 | 第44-46页 |
| 2.4.3 PⅢ注入剂量的标定 | 第46-48页 |
| 2.5 磁控溅射制备过程 | 第48-49页 |
| 2.6 Cu_xN薄膜的实验表征方法 | 第49-50页 |
| 2.6.1 Cu_xN薄膜的物性表征方法 | 第49页 |
| 2.6.2 Cu_xN薄膜的电学表征方法 | 第49-50页 |
| 2.7 实验结果与讨论 | 第50-68页 |
| 2.7.1 Cu_xN薄膜的物理性质 | 第50-59页 |
| 2.7.2 Ni/Cu_xN/Cu阻变存储单元的电学性能表征 | 第59-68页 |
| 2.8 两种Cu_xN基RRAM器件性能不同的原理总结 | 第68-69页 |
| 2.9 章节小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-77页 |
| 第三章 氮化铜(Cu_xN)薄膜后续处理及RRAM器件性能研究 | 第77-108页 |
| 3.1 引言 | 第77页 |
| 3.2 退火工艺原理简介及应用 | 第77-78页 |
| 3.3 氧等离子体表面处理技术简介 | 第78-79页 |
| 3.4 实验制备过程 | 第79-80页 |
| 3.4.1 退火过程 | 第79页 |
| 3.4.2 氧等离子体表面处理过程 | 第79-80页 |
| 3.5 实验结果与讨论 | 第80-103页 |
| 3.5.1 退火处理部分 | 第80-88页 |
| 3.5.2 O等离子体处理部分 | 第88-100页 |
| 3.5.3 对Cu_xN：O薄膜的退火修复 | 第100-103页 |
| 3.6 章节小结 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-108页 |
| 第四章 氮化铝(AlN)薄膜材料的脉冲激光沉积(PLD)方法制备 | 第108-128页 |
| 4.1 引言 | 第108页 |
| 4.2 氮化铝(AlN)薄膜的性质及应用 | 第108-110页 |
| 4.3 脉冲激光沉积(PLD)技术简介 | 第110-111页 |
| 4.4 实验制备过程 | 第111页 |
| 4.5 薄膜表征设备 | 第111-112页 |
| 4.6 实验结果及讨论 | 第112-122页 |
| 4.6.1 XRD表征 | 第112-113页 |
| 4.6.2 生长速度统计 | 第113-114页 |
| 4.6.3 SEM表征 | 第114-116页 |
| 4.6.4 表面形貌的表征 | 第116-120页 |
| 4.6.5 XPS表征 | 第120-122页 |
| 4.6.6 薄膜基本电学性能测试 | 第122页 |
| 4.7 章节小结 | 第122-124页 |
| 参考文献 | 第124-128页 |
| 第五章 氮化铝(AlN)基阻变存储器(RRAM)的制备与研究 | 第128-146页 |
| 5.1 引言 | 第128页 |
| 5.2 器件工艺的选择 | 第128-129页 |
| 5.3 AlN基RRAM结构电学性质 | 第129-142页 |
| 5.3.1 RRAM器件Ⅰ-Ⅴ综合表现 | 第129-130页 |
| 5.3.2 Mo8AlN/Al单元性能及机理讨论 | 第130-134页 |
| 5.3.3 Ni/AlN/Al单元性能及机理讨论 | 第134-138页 |
| 5.3.4 Ni/AlN/Al器件的失效及讨论 | 第138-142页 |
| 5.4 章节小结 | 第142-143页 |
| 参考文献 | 第143-146页 |
| 第六章 论文总结与展望 | 第146-149页 |
| 参考文献 | 第148-149页 |
| 附录 博士阶段研究成果 | 第149-151页 |
| 致谢 | 第151-152页 |
