| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 非易失性存储器的发展趋势 | 第8-10页 |
| 1.2 忆阻器的发现与应用前景 | 第10-12页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第12-13页 |
| 1.4 论文结构 | 第13-15页 |
| 2 忆阻器的原理、模型和仿真 | 第15-22页 |
| 2.1 惠普忆阻器的物理实现 | 第15-17页 |
| 2.2 忆阻器的阈值模型 | 第17-19页 |
| 2.3 忆阻器阈值模型的仿真实验 | 第19-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 3 基于忆阻器多值存储电路的设计 | 第22-35页 |
| 3.1 脉冲电压对忆阻阻值的影响 | 第22-23页 |
| 3.2 基于忆阻器多值存储电路的读写设计 | 第23-28页 |
| 3.3 基于以比值定义多值方法的设计分析 | 第28-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 4 基于忆阻器多值存储单元的交叉阵列 | 第35-46页 |
| 4.1 基于忆阻器的交叉阵列 | 第35-36页 |
| 4.2 基于忆阻器多值存储单元的交叉阵列设计及仿真 | 第36-40页 |
| 4.3 2T2M与 1T1M的比较和仿真分析 | 第40-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 5 基于忆阻器多值存储的应用 | 第46-54页 |
| 5.1 基于忆阻器的新型ECC纠错硬件电路设计 | 第46-50页 |
| 5.2 基于忆阻器的图像存储应用 | 第50-53页 |
| 5.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 6 总结与展望 | 第54-56页 |
| 6.1 总结 | 第54-55页 |
| 6.2 展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 附录1 攻读学位期间发表的论文 | 第61-62页 |
| 附录2 攻读学位期间参与项目 | 第62页 |