硅烷热解气相沉积反应模型及流化床CVD反应器的数值模拟
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 符号说明 | 第7-11页 |
| 第1章 前言 | 第11-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 硅烷流化床制备多晶硅传递与反应过程概述 | 第12-15页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第15-16页 |
| 第2章 文献综述 | 第16-36页 |
| 2.1 硅烷气相沉积反应动力学模型 | 第16-23页 |
| 2.1.1 总括反应模型 | 第16-18页 |
| 2.1.2 详细反应模型 | 第18-21页 |
| 2.1.3 简化的详细反应模型 | 第21-23页 |
| 2.2 硅烷流化床法制备多晶硅的实验研究进展 | 第23-26页 |
| 2.2.1 硅烷气相沉积实验研究 | 第23页 |
| 2.2.2 硅烷流化床实验研究 | 第23-26页 |
| 2.3 硅烷流化床反应器的数值模拟研究 | 第26-29页 |
| 2.3.1 两相现象模型 | 第26-28页 |
| 2.3.2 计算流体力学模型 | 第28-29页 |
| 2.4 气固流动TFM-KTGF模型 | 第29-35页 |
| 2.4.1 守恒方程 | 第29-30页 |
| 2.4.2 颗粒动理学理论及其子模型 | 第30-32页 |
| 2.4.3 曳力模型 | 第32-33页 |
| 2.4.4 湍流封闭模型 | 第33-34页 |
| 2.4.5 气固传热模型 | 第34-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 硅烷热解多晶硅气相沉积反应模型分析与验证 | 第36-51页 |
| 3.1 模拟方法 | 第36-40页 |
| 3.1.1 2-D边界层控制方程 | 第36-38页 |
| 3.1.2 旋转CVD反应模型控制方程 | 第38-39页 |
| 3.1.3 CHEMKIN模拟方法和求解步骤 | 第39-40页 |
| 3.2 实验描述与模拟条件设置 | 第40-43页 |
| 3.2.1 水平式单基片反应器 | 第40-42页 |
| 3.2.2 旋转CVD反应器 | 第42-43页 |
| 3.3 水平单基片CVD反应器模拟结果分析与讨论 | 第43-47页 |
| 3.3.1 水平单基片CVD反应器实验验证 | 第43-44页 |
| 3.3.2 硅微粉对沉积过程的影响 | 第44-46页 |
| 3.3.3 Ho模型流化床反应条件下的应用 | 第46-47页 |
| 3.4 旋转CVD反应器模拟结果分析与讨论 | 第47-50页 |
| 3.4.1 进口组成对沉积特性的影响 | 第47-48页 |
| 3.4.2 温度对总沉积速率的影响 | 第48-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 小型硅烷流化床多晶硅反应器的模拟与验证 | 第51-67页 |
| 4.1 模型描述 | 第51-53页 |
| 4.1.1 TFM-KTGF模型 | 第51-52页 |
| 4.1.2 PBM模型 | 第52-53页 |
| 4.2 模拟对象和操作条件 | 第53-57页 |
| 4.3 模拟结果与分析 | 第57-65页 |
| 4.3.1 反应器内流型与温度分布 | 第57-60页 |
| 4.3.2 气相组分分布 | 第60-61页 |
| 4.3.3 颗粒增长情况 | 第61-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第5章 全文总结与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
