| 摘要 | 第6-8页 |
| abstract | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-30页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 异质形核研究进展 | 第13-25页 |
| 1.2.1 经典形核理论及发展 | 第13-15页 |
| 1.2.2 吸附模型与自由生长模型 | 第15-16页 |
| 1.2.3 吸附-界面扩散模型 | 第16-18页 |
| 1.2.4 最新研究进展 | 第18-25页 |
| 1.3 熔体中的氧化物及其对异质形核的影响 | 第25-27页 |
| 1.3.1 Al熔体中的氧化物 | 第25-26页 |
| 1.3.2 氧化物对熔体异质形核的影响 | 第26-27页 |
| 1.4 本文研究的意义及主要内容 | 第27-30页 |
| 1.4.1 研究意义 | 第27-28页 |
| 1.4.2 研究的主要内容 | 第28-30页 |
| 第2章 实验材料、设备及研究方法 | 第30-38页 |
| 2.1 实验材料 | 第30-31页 |
| 2.2 实验设备及研究过程 | 第31-36页 |
| 2.2.1 实验设备 | 第31-33页 |
| 2.2.2 实验过程 | 第33-35页 |
| 2.2.3 技术路线 | 第35-36页 |
| 2.3 分析检测手段 | 第36-38页 |
| 2.3.1 粗糙度检测 | 第36页 |
| 2.3.2 金相观察 | 第36-37页 |
| 2.3.3 微区取样 | 第37页 |
| 2.3.4 透射电镜分析 | 第37-38页 |
| 第3章 Al异质形核能力理论计算 | 第38-54页 |
| 3.1 错配度计算 | 第38-44页 |
| 3.1.1 错配度理论介绍 | 第38-39页 |
| 3.1.2 物质结构分析 | 第39-41页 |
| 3.1.3 Al与基底面的错配度 | 第41-44页 |
| 3.2 晶格电子密度差计算 | 第44-52页 |
| 3.2.1 晶格电子密度差理论介绍 | 第44页 |
| 3.2.2 Al与基底的晶格电子迁移率 | 第44-52页 |
| 3.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 第4章 Al在MgAl_2O_4和Al_2O_3基底上的过冷度研究 | 第54-61页 |
| 4.1 单晶基底表面粗糙度检测 | 第54-55页 |
| 4.2 不同基底触发Al异质形核的过冷度 | 第55-59页 |
| 4.2.1 Al在不同基底上的过冷度 | 第55-58页 |
| 4.2.2 晶格电子密度差以及错配度对过冷度的影响 | 第58-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 第5章 Al异质形核界面特性 | 第61-72页 |
| 5.1 界面介观结构 | 第61-63页 |
| 5.2 界面微观结构 | 第63-67页 |
| 5.2.1 界面形貌 | 第63页 |
| 5.2.2 Al/Al_2O_3（0001）界面 | 第63-64页 |
| 5.2.3 Al/MgAl_2O_4（100）界面 | 第64-67页 |
| 5.3 异质形核机制 | 第67-71页 |
| 5.3.1 强异质形核外延层模型 | 第67-70页 |
| 5.3.2 Al在MgAl_2O_4（100）面形核机理 | 第70-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 第6章 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-83页 |
| 作者在攻读硕士学位期间取得的成果 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
