| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 石墨烯的结构 | 第9-10页 |
| 1.3 石墨烯的性质 | 第10-11页 |
| 1.3.1 导电性能 | 第10-11页 |
| 1.3.2 透光性能 | 第11页 |
| 1.3.3 导热性能 | 第11页 |
| 1.3.4 力学性能 | 第11页 |
| 1.4 石墨烯的制备方法 | 第11-13页 |
| 1.4.1 微机械剥离法 | 第11-12页 |
| 1.4.2 外延生长法 | 第12页 |
| 1.4.3 氧化还原法 | 第12页 |
| 1.4.4 化学气相沉积法 | 第12-13页 |
| 1.5 石墨烯的表征 | 第13-16页 |
| 1.5.1 光学显微镜表征 | 第13-14页 |
| 1.5.2 扫描电子显微镜表征 | 第14页 |
| 1.5.3 透射电子显微镜表征 | 第14-15页 |
| 1.5.4 原子力显微镜表征 | 第15页 |
| 1.5.5 拉曼光谱表征 | 第15-16页 |
| 1.6 石墨烯的应用 | 第16-17页 |
| 1.6.1 触摸屏领域 | 第16-17页 |
| 1.6.2 半导体器件领域 | 第17页 |
| 1.7 石墨烯的国内外研究现状 | 第17-21页 |
| 1.7.1 化学气相沉积法制备石墨烯薄膜的研究现状 | 第18-19页 |
| 1.7.2 化学气相沉积法制备石墨烯晶畴的研究现状 | 第19-21页 |
| 1.8 研究目的与主要研究内容 | 第21-23页 |
| 1.8.1 研究目的 | 第21-22页 |
| 1.8.2 研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 实验原材料、设备与实验方案 | 第23-29页 |
| 2.1 实验原材料 | 第23页 |
| 2.2 实验设备 | 第23-24页 |
| 2.3 实验方案 | 第24-29页 |
| 2.3.1 实验方案综述 | 第24-25页 |
| 2.3.2 铜箔处理工艺 | 第25页 |
| 2.3.3 石墨烯生长工艺 | 第25-27页 |
| 2.3.4 石墨烯转移工艺 | 第27页 |
| 2.3.5 石墨烯表征 | 第27-29页 |
| 第三章 石墨烯晶畴的常压化学气相沉积法制备及生长机理研究 | 第29-48页 |
| 3.1 引言 | 第29-30页 |
| 3.2 制备石墨烯晶畴的影响因素 | 第30-37页 |
| 3.2.1 铜箔基底表面形貌对石墨烯晶畴的影响 | 第30-32页 |
| 3.2.2 铜箔基底晶粒取向对石墨烯晶畴的影响 | 第32-33页 |
| 3.2.3 铜箔基底与石墨烯晶畴之间的相互作用 | 第33-34页 |
| 3.2.4 H_2对石墨烯晶畴的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.5 生长时间对石墨烯晶畴的影响 | 第35-37页 |
| 3.3 常压下石墨烯晶畴的生长机理研究 | 第37-43页 |
| 3.3.1 石墨烯生长的动力学机制 | 第37-38页 |
| 3.3.2 石墨烯生长的热力学机制 | 第38-40页 |
| 3.3.3 六边形石墨烯晶畴的生长机理 | 第40-43页 |
| 3.4 大尺寸石墨烯晶畴的制备与微结构表征 | 第43-47页 |
| 3.4.1 大尺寸石墨烯晶畴的制备 | 第43页 |
| 3.4.2 大尺寸石墨烯晶畴的光学显微镜表征 | 第43-44页 |
| 3.4.3 大尺寸石墨烯晶畴的拉曼光谱表征 | 第44-46页 |
| 3.4.4 大尺寸石墨烯晶畴的原子力显微镜表征 | 第46-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 石墨烯晶畴和薄膜的低压化学气相沉积法制备及生长机理研究 | 第48-64页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 制备石墨烯晶畴的影响因素 | 第48-56页 |
| 4.2.1 混气比对石墨烯晶畴的影响 | 第48-50页 |
| 4.2.2 生长温度对石墨烯晶畴的影响 | 第50-51页 |
| 4.2.3 生长时间对石墨烯晶畴的影响 | 第51-54页 |
| 4.2.4 铜箔位置对石墨烯晶畴的影响 | 第54-55页 |
| 4.2.5 铜箔晶粒取向对石墨烯晶畴的影响 | 第55页 |
| 4.2.6 氧化方式对石墨烯晶畴的影响 | 第55-56页 |
| 4.2.7 石墨烯晶畴的拉曼光谱表征 | 第56页 |
| 4.3 低压下石墨烯晶畴的生长机理研究 | 第56-58页 |
| 4.3.1 石墨烯晶畴层数变化 | 第57页 |
| 4.3.2 石墨烯晶畴形貌变化 | 第57-58页 |
| 4.4 石墨烯薄膜的制备与表征 | 第58-62页 |
| 4.4.1 石墨烯薄膜的制备 | 第58-59页 |
| 4.4.2 石墨烯薄膜的拉曼光谱表征 | 第59-60页 |
| 4.4.3 石墨烯薄膜的透光率表征 | 第60-61页 |
| 4.4.4 石墨烯薄膜的扫描电子显微镜表征 | 第61-62页 |
| 4.4.5 石墨烯薄膜的透射电子显微镜表征 | 第62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 背栅石墨烯场效应晶体管的构建及电学性能研究 | 第64-72页 |
| 5.1 引言 | 第64页 |
| 5.2 单层石墨烯薄膜的制备与表征 | 第64-66页 |
| 5.2.1 单层石墨烯薄膜的制备 | 第64页 |
| 5.2.2 单层石墨烯薄膜的表征 | 第64-66页 |
| 5.3 基于300nm SiO_2介电层的背栅石墨烯场效应晶体管的构建及其电学性能研究 | 第66-68页 |
| 5.3.1 背栅石墨烯场效应晶体管的构建 | 第66页 |
| 5.3.2 背栅单层石墨烯场效应晶体管的电学性能研究 | 第66-68页 |
| 5.4 基于BZT-0.5BCT铁电薄膜介电层的背栅石墨烯场效应晶体管的构建及其电学性能研究 | 第68-70页 |
| 5.4.1 BZT-0.5BCT铁电薄膜的制备与表征 | 第68-70页 |
| 5.4.2 石墨烯/BZT-0.5BCT背栅场效应晶体管的制备与电学性能研究 | 第70页 |
| 5.5 本章小结 | 第70-72页 |
| 第六章 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第80页 |
