| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 研究背景 | 第11-22页 |
| 1.1 LED芯片结构进化过程 | 第11-19页 |
| 1.1.1 正装结构 | 第11-13页 |
| 1.1.2 倒装结构 | 第13-17页 |
| 1.1.3 垂直结构 | 第17-19页 |
| 1.2 两种转移衬底工艺实现垂直结构LED | 第19-21页 |
| 1.2.1 键合工艺实现垂直结构 | 第19页 |
| 1.2.2 电镀工艺实现垂直结构 | 第19-20页 |
| 1.2.3 电镀工艺的优势及存在问题 | 第20-21页 |
| 1.3 本论文的研究意义及主要内容 | 第21-22页 |
| 第二章 实验原理与表征方法 | 第22-33页 |
| 2.1 电镀铜基板基本原理 | 第22-24页 |
| 2.1.1 电极反应机理 | 第23页 |
| 2.1.2 Cu层生长机理 | 第23-24页 |
| 2.2 电镀铜基板工艺 | 第24-28页 |
| 2.2.1 电镀铜基板工艺流程 | 第24-26页 |
| 2.2.2 电镀铜镀液组成及作用 | 第26页 |
| 2.2.3 电镀铜基板工艺条件的影响 | 第26-28页 |
| 2.3 性能测试与表征 | 第28-33页 |
| 2.3.1 高分辨率X射线衍射 | 第28-29页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第29-30页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第30-31页 |
| 2.3.4 Cu层厚度测试 | 第31页 |
| 2.3.5 Cu层结合力测试 | 第31-33页 |
| 第三章 电流密度和电镀时间对Cu层质量的影响 | 第33-53页 |
| 3.1 阴阳极摆放位置的确定 | 第33-38页 |
| 3.1.1 阴阳极摆放位置对Cu层厚度均匀性的影响 | 第33-35页 |
| 3.1.2 阴阳极摆放位置对Cu层表面形貌的影响 | 第35-38页 |
| 3.2 电流密度对Cu层质量的影响 | 第38-46页 |
| 3.2.1 电流密度对Cu层成分的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.2 电流密度对Cu层沉积速率的影响 | 第39-41页 |
| 3.2.3 电流密度对Cu层表面形貌的影响 | 第41-46页 |
| 3.3 电镀时间对Cu层的影响 | 第46-53页 |
| 3.3.1 电镀时间对Cu层组分结构的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.2 电镀时间对Cu层表面粗糙度的影响 | 第47-51页 |
| 3.3.3 电镀时间对Cu层结合力的影响 | 第51-53页 |
| 第四章 CuSO_4含量和添加剂比例对Cu层质量影响 | 第53-65页 |
| 4.1 CuSO_4含量对Cu层表面的影响 | 第53-57页 |
| 4.1.1 CuSO_4含量对Cu层厚度均匀性的影响 | 第53-55页 |
| 4.1.2 CuSO_4含量对Cu层表面形貌的影响 | 第55-57页 |
| 4.1.3 CuSO_4含量对Cu层表面粗糙度的影响 | 第57页 |
| 4.2 添加剂比例对Cu层表面的影响 | 第57-65页 |
| 4.2.1 添加剂比例对Cu层厚度的影响 | 第58-60页 |
| 4.2.2 添加剂比例对Cu层表面形貌的影响 | 第60-65页 |
| 第五章 总结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 附表 | 第76页 |
