| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 主要符号表 | 第13-14页 |
| 第一章 引言 | 第14-20页 |
| 1.1 器件的研究背景 | 第14-16页 |
| 1.2 Al组分渐变的AlGaN/GaN异质结构材料与器件的发展历史与现状 | 第16-17页 |
| 1.3 本文的研究内容与安排 | 第17-20页 |
| 第二章 器件的制备与测试 | 第20-28页 |
| 2.1 Al组分渐变的AlGaN/GaN材料的生长 | 第20-22页 |
| 2.1.1 选取衬底材料 | 第20页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN异质外延生长技术 | 第20-21页 |
| 2.1.3 本文器件材料生长方法和结构 | 第21-22页 |
| 2.2 AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管的制备工艺 | 第22-24页 |
| 2.2.1 设计版图 | 第22-23页 |
| 2.2.2 AlGaN/GaN PolFETs的制备工艺流程 | 第23-24页 |
| 2.3 Al组分渐变的AlGaN/GaN异质材料和器件测试 | 第24-28页 |
| 第三章 AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管工作原理研究 | 第28-38页 |
| 3.1 AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管 | 第28-32页 |
| 3.1.1 二维电子气(2DEG)的形成 | 第28-30页 |
| 3.1.2 三维电子气(3DEG)的形成 | 第30-32页 |
| 3.2 工作原理 | 第32-34页 |
| 3.3 AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管中3DEG的散射机制 | 第34-38页 |
| 第四章 AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管电子低场迁移率研究 | 第38-76页 |
| 4.1 AlGaN/GaN PolFETs电子低场迁移率计算模型 | 第39-41页 |
| 4.2 AlGaN/GaN PolFETs中相同源漏间距的器件电子低场迁移率研究 | 第41-59页 |
| 4.2.1 器件Rs和Rd的确定 | 第54-59页 |
| 4.3 AlGaN/GaN PolFETs中不同源漏间距的器件电子低场迁移率研究 | 第59-69页 |
| 4.4 AlGaN/GaN PolFETs中偏栅器件低场下电子迁移率研究 | 第69-76页 |
| 第五章 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第83页 |
